碳化硅(SiC)材料相比于传统硅(Si)材料具有很多优异的特性,表现为禁带宽度大、本征温度高、击穿场强高、热导率高等。SiC材料制造技术的发展,为实现基于SiC材料的新型半导体器件的产业化创造了条件。碳化硅(SiC)MOSFET是新型宽禁带(WBG)功率半导体器件之一,相比Si MOSFET或Si IGBT而言,SiCMOSFET具有更低的导通电阻,更强的耐高温能力和更快的开关速度。然而由于其较小的芯片面积、较高的电流密度以及较薄的栅极氧化物,SiCMOSFET的短路可靠性受到考验。而任何半导体器件在大规模投运之前必须进行严格的可靠性测试,短路鲁棒性测试是必不可少的。进行短路测试能够获得器件短路能力的相关数据,分析不同工况下的短路特性并提供设计驱动电路、故障保护电路及应用电路的关键信息。本文依托国家科技部的国家重点研发计划项目《高压大功率SiC材料、器件及其在电力电子变压器中的应用示范》,对SiCMOSFET的短路特性进行了重点研究。本文首先介绍了功率半导体器件的基本短路类型,根据基本短路类型的产生条件和特点以及驱动要求设计了相应的短路测试平台。然后结合SiCMOSFET的LTspice短路仿真依次进行了 SiCMOSFET的第一类和第二类短路类耶的实验测试,研究了不同参数对第一类和第二类短路特性的影响。进行了 SiC MOSFET短路失效实验,得到SiCMOSFET的短路失效模式和路耐量,并分析了短路失效机理。本文研究结果有助于认识SiC MOSFET的基本短路特性并为SiC MOSFET驱动保护电路设计提供了关键参数。