锗硅(SiGe)异质结双极型晶体管(HBT)的截止频率fT很高，在宽带内具有非常低的噪声和高增益。由于这些特性，SiGe HBT工艺在射频微波集成电路方面发展迅猛，目前已经可以与InP和GaAs HEMT等器件相媲美。采用先进的RF CMOS与SiGe BiCMOS技术已经能制造出应用于无线通信系统的硅基射频集成电路(RFIC)，在单片集成电路中可以同时实现模拟和数字功能。低噪声放大器作为超宽带无线系统中的关键模块，其阻抗匹配、噪声特性、增益和带宽等指标直接决定了接收通道的性能。本文基于SiGe BiCMOS工艺，对SiGe HBT超宽带低噪声放大器的设计进行了研究与分析。全文首先介绍了SiGe HBT及相应低噪声放大器应用的发展现状。在此基础上，针对SiGe HBT的直流模型和小信号模型进行了详尽的分析。根据选取的小信号模型，建立了SiGe HBT的噪声模型，并对其噪声特性进行了讨论。接着讨论了衡量超宽带低噪声放大器性能的主要指标参数，并对四种常见的超宽带低噪声放大器的结构进行了分析和比较。最后，本文利用π型网络与并联电阻负反馈结构相结合，基于Jazz0.18μmSiGeBiCMOS工艺，设计了一款工作频段覆盖X波段和Ku波段的超宽带低噪声放大器。文章阐述了完整的设计过程，并对前仿真、版图设计与优化以及提参后的后仿真验证进行了讨论。最终的后仿真结果为：输入阻抗匹配S11<-11dB，噪声系数NF<3dB，最高增益S21>20dB，增益波动<1.6dB，很好地实现了系统指标的要求。