异质结晶体管相关论文
本文给出了一种采用GaAs HBT工艺,可应用于宽带码分多址(W-CDMA)3G无线通信标准的功率放大器设计.偏置电路采用电容线性化技术,极......
硅－锗集成电路研究新动向加拿大多伦多大学、贝尔北方研究公司和美国ＩＢＭ公司联合研制了一组硅一锗集成电路，以证明硅一锗技术用于射频电......
叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的设计考虑，双台面结构的制作方法，并制作出ｆ_Ｔ为９ＧＨｚ的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。同时根据对不同尺寸ＨＢＴ的测试结果得到分布参数是影响ｆ_Ｔ的重要......
介绍了对ＳｉＧｅ／Ｓｉ材料干法、湿法腐蚀的机理、腐蚀方法、影响腐蚀的主要因素，以及其在制造异质结晶体管中的应用
The mechanism of dry and......
报道一组单片HBTVCO电路的设计、制作及其测试结果。电路采用HBT作为有源器件，PN结二极管作为变容管。S波段单片VCO的输出功率为0dB......
基于有限差分法开发了一个 Gex Si1-x合金基区异质结晶体管 (Gex Si1-x HBT)模拟器GSHBT。通过解释一组输入语句 ,GSHBT可模拟任意......
给出了低电压微波 Si Ge功率异质结双极型晶体管 (HBT)的器件结构和测试结果 .器件结构适于低压大电流状态下应用 .采用了梳状发射......
介绍了采用基于柠檬酸、硫酸和磷酸的腐蚀溶液对气态分子束外延生长的InP衬底上GaAs0.51Sb0.49湿法腐蚀研究工作。对不同体积比的......
利用硅双基区晶体管(DUBAT)产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT(NDRHB......
成功地将Polyimide钝化平坦化工艺应用于InP/InGaAs单异质结晶体管制作工艺中.在Vce=1.1V,Ic=33.5mA的偏置条件下,发射极尺寸为1.4......
今天几乎所有重要的半导体器件的工作原理都与异质结和肖特基结有关,比较完整地理解和运用异质结和肖特基结是通过了长达半个世纪......
位于美国华盛顿的美国海军研究实验室日前声称,他们首次开发出一种基于InAlAsSb/InGaSb材料的新型双异质结晶体管,这种异质结晶体......
研究了SOI衬底上SiGe npn异质结晶体管的设计优化.给出了器件基本直流交流特性曲线,分析了与常规SiGeHBT的不同.由于SOI衬底的引入......
本文利用分子束外延(MBE)技术能精确控制外延层厚度的特点,与选择性腐蚀技术相结合,实现了纳米级超薄基区宽度.利用集电极电压VCE......
应用一种改进的片上线性度测试方法来对上海华虹宏力半导体制造有限公司生产的SiGe HBT进行测试,得到了一个较好的测试结果,同时对......
将SOI技术优势引入SiGe HBT,可满足当前BiCMOS高速低功耗的应用需求.SOI SiGe HBT作为BiCMOS工艺的核心器件,其频率特性决定了电路......
介绍了一种基于电阻率高达1000Ω.cm的硅衬底的锗硅异质结晶体管的研制。首先根据衬底寄生参数模型分析了衬底对器件高频性能的影......
最近,异质结光电晶体管(HPT)在响应速度和带宽方面的改进,激发了把这种器件应用到长波长光纤系统中去的兴趣。HPT噪声特性的分析......
GaAlAs隐埋异质结激光器已经和双极晶体管实现单片集成。异质结晶体管是通过激光器的掩埋层进行再生长形成的。激光器阈值电流的典......
用GaAs做双极晶体管时,它的某些材料参数优于硅和锗,另一个优点是可利用GaAlAs/GaAs异质结晶体管的宽禁带发射极原理。目前已制出......
文章综述了异质结双极晶体管和扬效应晶体管的发展概况,介绍了异质结器件的主要设计原理以及双极、单极器件的优点,也叙述了异质结......
已经研制出双异质结NpN Ga_(0.7)Al_(0.3)As/GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As双极晶体管并进行了测试,为了形成NpN双异质结,除了一个宽禁......
一、前言 1951年肖克莱提出了宽能带发射极原理,1957年由Kroemer详细地介绍了双极晶体管中采用宽能带发射区,从而提高注入效率和......
84年10月23至25日在美国波士顿召开了第六次IEEE GaAs IC会议。会议讨论的重点是与批量生产相关的两个问题——封装和成品率。有......
本文较详细地分析了Si/α-Si异质结晶体管(HBT)的微波性能和工艺优点,简述了工艺过程,初步实验结果证实:Si/α-Si HBT具有较好的小......
本文提出和研制了一个新型的InGaAsP/InP双极型晶体管.在单片集成电路中它能与1.55μmInGaAsP/InP双异质结激光器共容而组成一个晶......
利用国产MBE系统外延生长的调制掺杂材料,试制出选择性掺杂晶体管或高电子迁移率晶体管(HEMT)。准增强型器件的跨导为60～90mS/mm。......
本文从理论和实验上研究了硅晶体管电流增益的低温特性,建立了电流增益的温度模型阐明了低温时电流增益下降的机理,探讨了采用轻掺......
在77K°的低温下NPnN型N-InGaAsP(E)/P-InGaAs(B)/n-InGaAs(C_1)-N-InP(C_2)双极型晶体管的伏安曲线族显示出一个较大的开启电压V_......
期刊
本文除介绍MOCVD的基本反应过程及装置外,将重点讨论用MOCVD生长各种Ⅲ-Ⅴ族半导体的工艺过程、生长参数等,并将介绍用MOCVD方法制......
由中国电子学会半导体与集成电路技术学会和电子材料学会主持召开的第七届全国化合物半导体材料和微波、光电器件学术年会,于1992......
设计和研制了耗尽型选择性掺杂异质结晶体管。外延选择性掺杂材料是由本所Fs-Ⅲ型分子束外延炉生长的。制作器件的材料在室温下,霍......
ｆ_（ｍａｘ）为２２４ＧＨｚ的异质结双极晶体管据日本《ＮＥＣ技报》１９９４年第４期报道，ＮＥＣ公司开发了用于通信发射接收机的高性能异质结晶体管，该器件的最高振荡频率高达２２４ＧＨＺ。......
ＣａＡｓｐ沟场效应异质结晶体管的动态模拟＝［刊，俄］／－１９９３．２２（２）．－９～１４集成电路速度的加快和功能的扩展，导致既必须缩小器件的线性尺寸又必须扩大所用器件和材料的频......
ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ双极异质结晶体管集电极结构对其高频特性影响的研究＝［刊．俄］－１９９３．．２２（１）．－３３～４０近年来，由于在实际制作半导体器件过程中广泛引入了如像分子束外延和金属有......
饱和状态下的异质结双极晶体管关断瞬态分析＝Ｓｗｉｔｃｈ－ｏｆｆｔｒａｎｓｉｅｎｔａｎａｌｙｓｉｓｆｏｒｈｅｔｅｒｏ－ｊｕｎｃｔｉｏｎｔｒａｎｓｉｔｏｒｉｎｓａｔｕｒａｔｉｏｎ［刊，英］／Ｙｕａｎ．Ｊ．ＳＳｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＥｌｅｃｔｒｏｎ．－１９９...
Transient Analysis of Heterojunction Bipolar Transistor in Saturated St......
一、引言单片微波集成电路(MMIC)组件技术正在推动着微波信号处理在复杂系统中的实现。金属半导体场效应晶体管(MESFET)和双极性......
该论文开展了从外延材料到低电压微波功率器件的研制的一系列研究的工作.为了开发自有知识产权的产业资源,必须首先解决SiGe材料外......
SiGe HBT是基于Si能带工程的一种异质结晶体管，它一出现就引起了世界普遍关注。由于基于Si工艺，与Ⅲ-Ⅴ化合物器件比，SiGe HBT在性能/......
给出了低电压微波SiGe功率异质结双极型晶体管(HBT)的器件结构和测试结果.器件结构适于低压大电流状态下应用.采用了梳状发射极条......
