铜锌锡硫（Cu₂ZnSnS₄,简称CZTS）薄膜太阳电池具有光吸收系数高、带隙可调、绿色环保等优点,被认为是具有良好发展前景的一类薄膜太阳电池。目前制备高转换效率的CZTS薄膜太阳电池的方法有磁控溅射法、热蒸发法、溶胶-凝胶法等等。其中溶胶-凝胶法由于具有工艺简单、设备低廉、均匀性好、容易掺杂等系列优点,被研究人员广泛使用。因此,本文采用溶胶-凝胶后高温硫化法技术路线,从前驱体薄膜制备工艺入手,研究了碱金属Na元素的掺杂技术,在此基础上改进了硫化工艺,制备出满足化学计量比的高质量CZTS薄膜。具体研究进展如下:通过调节溶质成分比例,在300℃烘烤温度下制备贫Cu富Zn的CZTS前驱体薄膜。CZTS前驱体薄膜的成分比例为Cu/（Zn+Sn）=0.79,Zn/Sn=1,制备的前驱体薄膜表面平整,致密性好,有机物残留较少。通过调节退火温度改善CZTS吸收层结晶质量。高温硫化是制备CZTS薄膜中关键步骤,通过高温硫化可以制备出高质量的CZTS薄膜。当退火温度为570℃时制备的CZTS薄膜晶粒尺寸大,表面平整,致密性高。通过掺杂Na元素改善CZTS吸收层形貌和结晶质量。掺杂后CZTS吸收层空洞减少、晶粒尺寸增大,表面更加致密。当Na掺杂量为5%时,结晶质量高,并且选择NaCl作为Na源可以有效抑制Mo₃C₂的形成。铜铟硒（CuInSe₂,简称CISe）与CZTS具有相近的晶体结构,因此,本文同时对电沉积制备的CISe薄膜进行了高温硫化工艺研究,为后期的CZTS薄膜硫化工艺改进提供技术支撑。通过调节CISe薄膜的硫化退火温度,研究其对CISe薄膜结构稳定性的影响,结果表明500℃的退火温度更有利于形成相对稳定的CISSe相结构。