稀磁半导体材料兼具磁性和半导体特性,在自旋电子器件有着广泛的应用前景。本论文在介绍Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体之后,分别介绍了“111”、“122”、“1111”、“32522”、“42622”等新型稀磁半导体材料。与传统的Ⅲ-Ⅴ族(Ga, Mn)As薄膜材料相比,这些新型稀磁半导体材料均实现了电荷与自旋的分离注入机制,为研究稀磁半导体材料提供了新的方向。同时这些材料能够方便的制备块状材料,使我们能够利用中子散射,核磁共振,μ SR等磁性测量手段对材料的微观磁性进行研究。我们通过在LaZnAsO的Zn位同时掺杂Mn和Cu成功制备了“1111”型块状稀磁半导体材料La(Zn1-2xMnxCux) AsO。在对材料进行磁性表征时发现,只通过(Zn2+, Mn2+)替代引入局域磁矩无法形成磁有序,只有同时经过(Zn2+, Cu1+)不等价替代引入空穴型载流子,才能产生磁有序相。我们发现在外磁场1000e下,样品的饱和磁矩在0.0111 B/Mn量级,我们认为该磁有序相没有形成铁磁长程有序,更像是自旋玻璃态。我们还在“1111”体系进行了大量的尝试,通过在Zn位掺杂Mn和其他金属元素合成了La(Zn1-2xMnxTMx)AsO (TM=Co, Fe, Ni)等系列多晶样品,通过磁性表征发现这些样品没有出现明显的铁磁有序相。