近年来有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)的兴起给平板显示行业注入了新的活力。低温多晶硅(Low temperature poly-silicon,LTPS)薄膜晶体管(Thin Film Transistors,TFTs)因其具有较大的迁移率,较小的漏电流和稳定的器件特性等优点,被认为可以代替传统非晶硅薄膜晶体管并应用在AMOLED的驱动电路制作中。但低温多晶硅技术相对于传统的非晶硅技术来说,制作工艺较为复杂,特别是器件特性及其均一性的控制成为其工艺难点之一。其中,作为有源层的多晶硅薄膜的质量对器件特性的影响尤为显著,但目前在工业生产中仍缺乏对其有效的在线监测手段。因此,本论文针对基于微波光电导反射法的多晶硅少子寿命的表征方法开展研究,深入讨论了激光注入能量和多晶硅各项质量参数对测试结果的影响。论文研究工作具有现实意义。论文首先通过调整少子寿命测试设备的激光注入能量,测量了不同表面状态的多晶硅样品的微波反射信号,并分析了激光注入能量对测试信号的影响,随后又采用不同质量的多晶硅样品进行了验证。实验结果表明,当激光注入能量保持在小注入范围内且能量稳定,则测试所得微波反射信号与样品少子寿命基本成正比例关系。但当光注入量超出小注入范围,则微波反射信号与样品电导率的正比例关系消失,此少子寿命测试方法不再适用。表面钝化可显著增加多晶硅薄膜样品的微波反射信号,但同时也更容易使光注入量超出小注入范围。因此,对于不同表面状态的样品,需要注意激光注入能量的选择以保证其保持在小注入范围。其次采用激光晶化的方法制备了不同膜厚和质量的多晶硅薄膜,测试其晶粒尺寸、粗糙度和杂质含量,并使用微波光电导反射法测试其少子寿命。实验结果表明,在晶粒尺寸小于270nm时,较薄的多晶硅薄膜具有相对较长的少子寿命,而当晶粒尺寸大于270nm时则结果正好相反;原因在于晶粒尺寸较小时多晶硅薄膜的体寿命居于主导作用并随着薄膜厚度的增加而变短,晶粒尺寸较大时多晶硅薄膜表面寿命影响显著增强并与薄膜厚度成正比。当硼离子浓度较小时,多晶硅薄膜的电导率与掺杂浓度成反比,所以微波反射信号也随掺杂浓度的增加而降低。论文研究所得结果对于生产中的多晶硅质量监控具有一定的参考价值。