本论文利用透射电子显微学的各种分析技术(包括衍射技术、衍衬技术、高分辨技术、电子能量损失谱、Z衬度等)，对两种典型的低维半导体材料的显微结构进行了系统的研究，主要结果如下： 1．采用一系列高分辨透射电子显微学方法，结合能谱线扫描和原子序数衬度扫描透射显微方法，对一批钛掺杂的硅量子点的横截面样品进行了详细研究，得到了量子点内部的成分分布，相关的试验数据吻合一致，验证了钛掺杂硅量子点浮栅内存的结构模型。并对透射电镜横截面样品的制作做了一些归纳和有益的探讨。 2．制作了透射电镜的横截面样品来分析未掺杂和掺杂的两个InGaN/GaN量子阱样品，发现势垒层用硅刻意掺杂后，势阱层出现高密度的铟簇，结合合作者提出的理论模型，解释了掺杂样品PL谱所表现出来的更加缓慢的衰减特性。