铌酸钾钠(KNN)无铅压电薄膜由于其高的居里温度，优良的压电铁电性能，以及生物相容性，在致动器、传感器等领域具有广泛的应用前景。然而，在热处理过程中，A位(K，Na)离子易挥发成为制备高质量KNN无铅压电薄膜的一大挑战。　　本论文以减少A位离子的挥发、制备高质量的无铅压电薄膜为目标，采用磁控溅射法制备KNN薄膜，用XRD、FESEM、Radiant铁电测试系统等多种分析测试手段，研究不同衬底(硅片、Pt/Ti/SiO2/Si及石英片)、溅射参数(沉积时间及沉积温度)、退火条件(退火温度、退火气氛及退火时间)对KNN薄膜晶体结构、表面形貌及电学性能的影响，并分析Cu掺杂量及退火时间对KNN薄膜的结构形貌及电学性能的影响。　　在Pt/Ti/SiO2/Si基体上制得了纯钙钛矿相的KNN薄膜，实验发现衬底中SiO2能有效防止KNN薄膜与Si之间的相互扩散，避免了非铁电相物质生成；溅射时间过短易导致薄膜表面的致密度较差；沉积温度过高易导致A位碱性离子挥发加剧。　　在KNN气氛中，650℃退火60 min制得了铁电性能最优的KNN薄膜，其剩余极化强度2Pr和矫顽电场2Ec分别为20.28μC/cm2，200.25 kV/cm，这归因于薄膜具有较高择优取向性，较大的晶粒尺寸及致密的表面形貌。另外，高温退火时，Na2CO3和K2CO3粉末分解，形成的KNN气氛能够有效抑制A位离子挥发。　　Cu2+离子的引入可以提高KNN薄膜的致密度，但增大了薄膜的晶格畸变，A位离子挥发加剧，导致第二相的生成，不利于KNN薄膜的电学性能。