【摘 要】
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该论文利用EMCORE公司的D180型MOCVD设备进行了InGaAsP、InGaAIP材料体系的外延生长.精确控制源的参数,采用EPISON原位控制In源浓度,采用原位监测装置控制生长,采用温度和流
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该论文利用EMCORE公司的D180型MOCVD设备进行了InGaAsP、InGaAIP材料体系的外延生长.精确控制源的参数,采用EPISON原位控制In源浓度,采用原位监测装置控制生长,采用温度和流量控制掺杂浓度.生长在630℃~700℃左右进行.反应室生长腔的压力为69torr.V/Ⅲ比为50-200,各层材料生长速率为4-10A/s.材料生长的同时进行了掺杂.掺杂浓度可通过电化学C-V方式测量.最外层接触层为重掺杂Zn的p+-GaAs层,其掺杂浓度在10<18>~10<20>之间,也可以掺到10<20>以上以保证在作器件表面镀金的时候可以达到完全的金属接触.在前人工作基础上,该论文进行了InGaAsP/InGaAIP/GaAs体系的有源层无铝大功率半导体激光器器件结构设计、材料生长、材料的光学性能测试、单晶性能测试、外延片的后工艺处理、解理后管芯的电光性能测试、镀膜封装后激光器件的性能测试、寿命试验等一系列的工作.生长了单一组分有源层InGaAsP材料以确定其生长参数和材料性质;生长了突变光波导的分别限制异质结(SCH)半导体激光器结构和多层准渐变光波导的分别限制异质结(Quasi-GRIN-SCH)结构的半导体激光器结构.
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