随着IC制造工艺技术的改进和完善,片上系统的集成度越来越高,片上系统中嵌入式存储器的比例也在不断增加。然而,复杂的新工艺也更易导致存储器在生产过程中出现新的缺陷,进而导致存储器出现新的故障。因此,存储器测试的难度越来越大。存储器内建自测试方法因其设计简单、硬件成本适中、故障覆盖率高等优点,己成为了当今主流的存储器测试方法。存储器测试算法是MBIST电路的核心,March算法则是如今使用范围最广的存储器测试算法。常用的March算法如March C、March C+等等,仅仅针对静态故障的测试,而到了 Fin-FET工艺后,研究人员发现Fin-FET存储器对动态故障更加敏感,因此动态故障的测试已成为一个不容忽视的问题。本论文主要研究了 16nm Fin-FET存储器的内建自测试系统,主要工作内容如下:(1)研究了存储器静态故障及动态故障的原理,分析了常用的存储器测试算法的原理及故障覆盖率。针对Fin-FET存储器对动态故障更加敏感的特点,提出了一种改进的动态故障测试算法,改进的算法与March MDIa及March MDIb算法对两次敏化操作的单存储单元动态故障的覆盖率都为100%,但复杂度较之后两种算法降低了约 24%。(2)设计了一种含有四种测试算法的MBIST电路,测试时可根据需求仅执行一种测试算法或四种算法顺序执行。然后通过NC-Verilog完成了 MBIST电路的RTL级仿真验证。(3)使用EDA工具首先完成了 MBIST电路的逻辑综合及形式验证,然后通过后端物理设计完成了测试芯片的布局布线,最后得到测试芯片的GDS II版图文件。