【摘 要】
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本文研究了锑化物Ⅲ–Ⅴ材料和InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱结构的MBE生长,利用Hall、XRD、光致发光(PL)等测试仪器对材料特性进行表征分析,成功制备了发光特性较好的InGaAsSb/Al
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本文研究了锑化物Ⅲ–Ⅴ材料和InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱结构的MBE生长,利用Hall、XRD、光致发光(PL)等测试仪器对材料特性进行表征分析,成功制备了发光特性较好的InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱结构材料。采用分子束外延技术同质外延制备了GaSb材料,并利用Hall测试仪、X射线衍射、光致发光谱对材料特性进行表征分析,测试结果表明所制备材料质量较好。对掺杂材料的温度对N型碲(Te)掺杂和P型铍(Be)掺杂GaSb的载流子浓度的影响进行了研究,Hall测试数据表明采用较高的掺杂材料温度所制备的GaSb材料具有较高的载流子浓度,并制备获得了材料内部载流子浓度可控,且满足器件要求的GaSb。对InAsSb、GaAsSb三元系锑化物材料的MBE生长进行了研究,实现了四元合金组分的调控。对制备的InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱材料进行XRD和PL测试,测试结果表明量子阱材料具有较好的晶体质量和具备2?m的发光能力。对量子阱激光器外延片进行后期制作工艺,制备得到激光器器件,器件室温激射谱和功率-电流特性曲线测试结果表明:该器件室温下能够持续激光输出,阈值电流较低,激射波长~2?m,峰值输出激光功率为1.7 mW。
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