【摘 要】
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随着集成电路的飞速发展,芯片发热量的不断增加,Cu膜互连线与Si基体的结合性能将受到挑战。为解决这种由于两者热膨胀系数的差异而引起的胀缩匹配问题,本试验尝试将优异的负热膨胀材料ZrW_2O_8添加到Cu薄膜中,使ZFW_2O_8与Cu两者形成梯度复合,使得到的梯度复合薄膜既能与硅基片有较好的结合性能,又能维持互连线较高的导电性能。本试验中靶材为Cu靶以及ZrO_2和WO_3摩尔比为1:2的混合氧化
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随着集成电路的飞速发展,芯片发热量的不断增加,Cu膜互连线与Si基体的结合性能将受到挑战。为解决这种由于两者热膨胀系数的差异而引起的胀缩匹配问题,本试验尝试将优异的负热膨胀材料ZrW_2O_8添加到Cu薄膜中,使ZFW_2O_8与Cu两者形成梯度复合,使得到的梯度复合薄膜既能与硅基片有较好的结合性能,又能维持互连线较高的导电性能。本试验中靶材为Cu靶以及ZrO_2和WO_3摩尔比为1:2的混合氧化物靶,基片为单晶Si。采用射频磁控溅射法,双靶同时溅射,Cu靶的功率逐渐增加,氧化物靶的功率逐
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滑坡是一种全球性的自然灾害,危害性仅次于地震和洪水。雅砻江流域作为一个梯级开发的重点区域,已建、在建、规划的大型水库有12个,这些水库大多修建在地质条件非常复杂的高山峡谷地区。对于某些已经趋于稳定的老滑坡,由于水库修建将改变其原来赋存的地质环境,导致发生库岸再造,甚至使库岸发生变形乃至再次失稳滑动,给大坝、库岸堤防以及下游地区造成严重灾害。库岸失稳后果严重,轻者淤积库坝,使水库的库容减少,严重的甚
滑坡、崩塌、泥石流等地质灾害是导致人民生命财产损失的自然灾害之一。20世纪90年代以来,国内对滑坡等单体地质灾害的机理研究较多,而针对区域性地质灾害发育分布规律的研究进展比较缓慢。探索形成一套科学的、完整的、实用的区域地质灾害发育分布规律的研究方法,进行区域地质灾害危险性评价,对于做好区域性地质灾害防治工作具有十分重要的现实意义。论文以广西壮族自治区龙胜县地质灾害调查项目为背景,以丰富的实际资料为
随着多种遥感卫星的发射成功,多传感器、多时相、多分辨率、多频段的遥感图像数据不断涌现,各自显示了自身的优势和局限性。为了充分利用和开发这些数据资源,将遥感数据采用一定的算法融合成一组合成影像,能够弥补单一图像信息的不足。本文针对Landsat-7 ETM+遥感影像合理地选择遥感数据,通过有效的融合方法进行影像融合,得到突出线状地物信息的融合图像。通过影像预处理对融合效果的影响分析,得到用双三次法对
无机陶瓷膜因其具有化学和热稳定性好、机械强度大、使用寿命长等优点，在微滤、超滤和纳滤等领域中有广阔的应用前景。由于传统制备方法如悬浮粒子烧结法和溶胶-凝胶法的制备过程复杂、工序繁琐和条件苛刻导致能耗和成本很高，而且要获得小孔径的膜十分困难，难以实现可控性规模制备。因此，开辟和尝试新的简单制备方法以实现可调控制备微滤、超滤膜乃至纳滤膜及其应用，具有重要科学意义和实际价值。本论文提出：采用简单而且条件
我国幅员辽阔、地质环境条件复杂,几乎所有的自然灾害类型都有,是世界上灾害类型最多的国家之一。同时我国地形条件复杂,山地和高原占国土一半以上的面积,而且山地起伏大、地质构造复杂、岩层表层破碎,并且随着人类社会经济活动的不断增强,人类对自然资源的过度索取和对环境的持续破坏,使得泥石流等自然灾害越来越严重。近年来,随着西部大开发和山区经济的发展,泥石流灾害也随之增加。由于泥石流的泛生性和突发性以及现在对
聚偏氟乙烯(PVDF)是应用最广泛的分离膜材料之一,但其本身的疏水特性使膜在水介质过滤中存在通量低,易污染的问题。针对这一问题,本论文设计并合成了刷状两亲性共聚物PVDF-g-PEGMA和P(MMA-r-PEGMA),并将其用与PVDF膜的共混改性,以提高膜的亲水性和抗污染能力。通过原子转移自由基聚合(ATRP)的方法合成了刷状两亲性共聚物PVDF-g-PEGMA,采用~1H-NMR、FTIR、D
双分子层类脂膜(BLM)是一种体外重构生物膜,其模拟生物细胞膜的双层结构,且易于修饰,因而已作为研究生命现象很好的膜体系模型。BLM的修饰成分易于控制,通过在BLM中嵌入某种单一的修饰成分(如抗体、酶等),可以使其对相应配对物质具有类似于细胞膜的特异性识别功能,因而可以用来实现不同物质的识别和检测。BLM作为一种理想的传感器敏感材料而被广泛应用于对不同物质敏感的新型生物传感器研究和开发。在对BLM
采用电化学腐蚀法制备的多孔硅,由于其孔隙率和生长厚度具有很大的可调性,而孔隙率和薄膜的折射率密切相关,因而多孔硅是一种很好的功能薄膜材料。由于多孔硅具有较大的表面积,因此可作为多种沉积或吸附物质的载体。本论文首先论述了多孔硅及多孔硅微腔的性质,根据光的电磁理论,推导了光在多孔硅中的传输矩阵,并用LabVIEW编写了计算多孔硅多层膜反射光谱的程序。在实验上成功制备了硅基宽带薄黑硅,由计算机控制对单晶