高功率半导体激光器无论在军事领域还是在民用中都得到广泛的应用。本文首先介绍了量子阱半导体激光器的工作原理,并且从波方程、复有效折射率、速率方程、热特性等方面对锥形半导体激光器进行理论上的分析。其次,根据理论分析,设计出半导体激光器材料的外延结构。根据外延片的具体结构,设计锥形激光器的结构,包括脊形波导的长度、高度的设计,锥形增益区长度的设计,抑制光反馈沟槽的设计。制定具体的工艺方案,完成器件的制作,并对器件进行测试。我们制成激射波长为800nm波段锥形半导体激光器,其阈值电流为500mA,当输入电流为2A时,输出功率达到1W,斜率效率为0.63W/A。最后,介绍了半导体激光器光束质量的评价方法,并对封装好的器件测试,得到光束质量因子M~2=2.3的锥形半导体激光器。