该文探讨了用于OEIC的inP基光敏HEMT的理论模拟和几个关键的工艺.为了研制可用于长波长光纤通信,具有探测放大能力的OEICInP基光敏HEMT,针对目前InP基光敏HEMT的理论模拟和关键工艺所存在的问题,我们探索了以下几项工作:1、考虑了HEMT静态模型的四个部分:沟道电流(或漏源电流)表达式、2DEG(二维电子气)面密度与栅压的关系、载流子速度(漂移速度)与电场关系、源漏边界条件,我们提出了新的静态特性解析式.2、以新的静态行性解析式为基础,应用RC传输线模型,并做了新的改进,我们计算了光照下高频二维微波散射(S)参数矩阵的各个矩阵元数值.3、我们首次对光敏HEMT的光敏机理作了探索,建立了理论模型,定量计算了在稳定光照下的I-V特性.4、应用MOCVD技术生长了符合设计要求的高质量InP基八层外延材料.5、考虑了器件隔离、光响应度等因素,设计了多种光刻版图.6、为了得到良好的台面构造和合适的栅槽,探索了室温下的选择腐蚀工艺;为了得到线条良好的栅电极,探索了剥离工艺.