随着半导体产业的不断蓬勃发展和手机、相机等数码产品的不断普及,诸如IC基片、手机面板等较大面积、高精密的平面元件需求在不断扩大。传统加工方法得到的元件往往伴有面型精度不足和亚表面损伤、表面粗糙度过高等问题。磁流变抛光技术不仅避免了这些问题,还能高效地加工出超光滑表面,本文设计出了一套电磁励磁装置,并进行K9玻璃、碳化硅片、硅片的抛光加工实验,主要研究内容如下:(1)设计了一套应用于实验平台的励磁装置。通过分析励磁方式的特点,选择了电磁线圈励磁方式,根据应用要求和抛光原理对磁轭进行选材和结构设计,依据励磁装置的磁场原理确定了励磁装置的结构尺寸。(2)利用Maxwell 16.0软件对励磁装置进行结构尺寸的仿真优化。采用在Maxwell 16.0软件建立模型,仿真不同励磁装置产生的磁场的方法进行优化,提出了圆弧状磁轭代替传统直线磁轭的结构,引入倒角结构,并对励磁装置的尺寸参数做正交优化设计。将优化前后装置产生的磁场进行对比,消除了加工后工件表面产生的犁沟现象,并使加工区域磁场强度增大了27%,磁场宽度增加了26.2%。(3)进行了磁流变抛光工艺实验。以单因素实验方式分别对抛光盘转速、工件转速、工作间隙、工作电流四个工艺参数设计了实验,分析优化了抛光加工的工艺参数。抛光加工K9玻璃,材料去除率达到了0.93mg/min,加工后获得了表面粗糙度R_a0.72nm的超光滑表面;对硅片和碳化硅片进行了抛光实验,获得了表面粗糙度Ra0.37nm和Ra0.79nm的超光滑表面。