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本文采用热蒸发方法合成了大量超长尺寸的CdS纳米带和CdSSe纳米带,并对纳米带的结构、光学性能以及表面光电压进行了研究,主要结果如下：(1)用热蒸发法在Ar-H2载流气作用下合成了长几百微米的CdS纳米带,然后分析了单根纳米带的形貌,结合纳米带的晶体结构认为,其生长机理是由VLS和VS共同作用形成的。在近场扫描光学显微镜下观察了纳米带的光波导及光致发光,发现CdS纳米带具有很好的波导性,其PL光谱只有一个发射峰,没有缺陷等引起的其他发射峰,说明纳米带具有较高的结晶度和纯度。紫外可见吸收光谱体现了很强的量子效应。此外研究了CdS纳米带的表面光伏,可以看出：CdS纳米材料的表面光电压比CdS颗粒的表面光电压响应范围和强度都增大,并对外场很敏感,随外场增大而增大,我们认为这是由于纳米带自建场增强,另外在电场诱导下,导带底电子与价带顶的空穴会寿命延长,随电场增强变得越来越多,因此表面光电压响应强度增加。(2)我们将CdS粉末和CdSe粉末以一定比例混合,用相同的热蒸发方法,通过控制不同的实验条件合成了尺寸较大、形貌均一、不同成分的CdS1-xSex纳米带。通过XRD分析看出,仍为纤锌矿结构,只是晶格常数增大。在近场扫描光学显微镜下分析,看出不同成分的CdS1-xSex纳米带发射出不同颜色的光,并且光谱只有唯一的发射峰,并有较大的跨越,这与文献报道一致,说明CdS1-xSex纳米带是合金,而并不是简单的两种成分的组合,通过改变成分还可以实现CdS纳米带的带隙的谐调。之后分析CdS0.8Se0.2纳米带的表面光电压,与CdS纳米带相比,CdS0.8Se0.2纳米带的表面光电压响应有更大的范围,从300-750都有明显的响应。并且随着电场的加入,响应强度也远远高于CdS纳米带,从0v到+1v将近有2000倍的增加,说明在太阳能电池及光电器件有着潜在的应用前景。