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本文通过直接沉淀法制备钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3)粉体并以其为芯,利用溶胶凝胶法在其上包覆一层多孔Ba0.6Sr0.4TiO3制成多孔钛酸锶钡（p-BST）粉体,利用水热法将使用氧化还原法制备的石墨烯量子点（GQDs）作为碳材料负载到p-BST粉体表面上,获得了GQDs@p-BST粉体。选用溶液浇铸法依次合成了GQDs@p-BST/PVDF和p-BST/PVDF两种复合材料,系统研究了两种复合材料介电性能与p-BST添加量的关系,利用先进测量手段对粉体和复合材料进行相态分析、形貌表征以及电性能测试,并探讨了GQDs的引入对BST/PVDF复合材料储能密度的影响机理。利用直接沉淀法制备了颗粒尺寸为60nm的实芯Ba0.6Sr0.4TiO3粉体,研究了溶胶凝胶法制备p-BST粉体的影响因素,确定了制备颗粒直径120nm左右,孔直径25nm左右的p-BST粉体的较优工艺条件,即反应温度为85℃,pH为7和陈化时间为36 h。研究了水热法制备GQDs@p-BST粉体过程中溶剂对GQDs负载均匀性的影响,当选择氢氧化钠溶液作为溶剂时,GQDs在p-BST粉体表面能够负载均匀,成功合成负载0.1 wt%GQDs的GQDs@p-BST颗粒。系统研究了GQDs@p-BST的添加量对GQDs@p-BST/PVDF复合材料介电性能的影响,进而获得对储储能密度的影响,随着GQDs@p-BST的含量从0 vol%增加到10 vol%,GQDs@p-BST/PVDF复合材料的储能密度先上升后下降,当GQDs@p-BST粉体的含量为7vol%时,GQDs@p-BST/PVDF复合材料的储能密度达到最大值7.9J/cm3,是未负载GQDs的p-BST/PVDF复合材料储能密度的两倍,GQDs的引入提高了p-BST/PVDF复合材料的储能密度。复合材料的介频谱研究说明,由于GQDs良好的载流子迁移率增加了GQDs@p-BST/PVDF复合材料的界面极化,提高了复合材料的介电常数。FTIR和XRD结果也表明,GQDs的引入,可使PVDF生成有利于增加击穿场强和介电常数的γ晶型,原因是GQDs中的-C=O和PVDF基质中的-CF基团的相互作用影响了PVDF结晶过程中分子链的移动,导致γ晶型PVDF的形成,进而提高了材料整体的储能密度。