有机电化学晶体管抗坏血酸传感器的制备及性能研究

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有机电化学晶体管传感器因其工作电压低、生物兼容性好、可在水溶液中稳定使用等特点得到了广泛的关注,但同时作为传感器也存在选择性和灵敏度有待提高的问题。本文以二甲基亚砜(DMSO)掺杂PEDOT:PSS作为半导体层,制备了电化学晶体管传感器,将其应用于抗坏血酸分子检测。并且以纳米材料与分子印迹材料修饰晶体管的栅极,分别提高了抗坏血酸检测时的响应电流及选择性。本工作所制备的电化学晶体管传感器对于抗坏血酸的检测比普遍认同的电化学传感器具有更高的灵敏度、更低的检测限、更好的选择性以及优良的线性。并且还以实际样品代替抗坏血酸试样以电化学晶体管的方式检测,收到了良好实验效果。这些都表明电化学晶体管在快速高效准确的传感检测器方面有良好的应用前景。主要工作如下:(1)制备了以PEDOT:PSS作为半导体层的有机电化学晶体管,研究了 DMSO掺杂对其电学性能的影响。并且以X射线光电子能谱分析、傅里叶变换红外光谱仪、原子力显微镜等手段对薄膜的微结构进行了研究。实验结果表明:DMSO的加入使薄膜表面的PEDOT分子所占的成分有所增加,并出现了一定的相分离,而PEDOT:PSS薄膜的分子链结构并未改变。经过DMSO掺杂的PEDOT:PSS膜的电导率及电学性能均有所提高,其中性能最优的为以5%DMSO掺杂的PH1000型PEDOT:PSS,其电导率为457 S/cm,转移曲线最高电流可达0.6 mA,比未经掺杂的电流提高一倍。因此最终选用5% DMSO掺杂的PH1000型PEDOT:PSS作为半导体层,制备电化学晶体管传感器。(2)为了提高电化学晶体管传感器的响应电流,以滴涂方式将氧化石墨烯与碳纳米管材料分别修饰在栅极上,对抗坏血酸分子进行检测,并将其检测结果与电化学传感器检测结果进行比对。结果表明,电极表面修饰对抗坏血酸分子的检测结果具有重要影响,以电导性能较好的碳纳米管材料修饰传感器则检测响应电流更大,约为未修饰金电极检测的响应电流的2倍。同时对比两种传感器的检测结果,电化学晶体管传感器有着更低的检测限,为11μM。(3)为了提高电化学晶体管传感器的选择性,以抗坏血酸(AA)为模板分子、邻苯二胺(o-PD)为功能单体,在金电极表面电聚合制备分子印迹聚合物膜(MIP),并以该MIP修饰的电极分别作为电化学传感器的工作电极与电化学晶体管传感器的栅极,构建相应的抗坏血酸分子传感器。实验结果表明,应用该分子印迹薄膜修饰电极作为栅极的电化学晶体管检测AA,得到检测限为300 nM,在100 nM-3 μ(低浓度)与3 μM-100 μM(高浓度)两个范围内成线性关系,并且具有选择性,可以将AA从干扰物中区分出来。
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