自2015年全无机铅卤钙钛矿（CsPbX3,X=Cl、Br、I）纳米晶被首次报道以来,因其优异的光电学特性（高光吸收系数、高荧光量子产率（PLQY）、窄发射半峰宽、卤素物依赖的可调带隙、长电子-空穴扩散长度）,引起了科研人员的广泛关注。其在发光二极管（LED）、激光器、光探测器和太阳能电池等光电领域展现出巨大的潜力,被认为是下一代光电器件最具有前景的材料之一。作为一种新兴的纳米材料,如何发展低成本、工艺简单的合成方法实现高质量CsPbX3纳米晶的制备仍是这个领域内最重要的课题之一。此外,CsPbX3纳米晶的光电性质受纳米晶的形貌影响较大,如何实现对钙钛矿纳米材料形貌的精准调控仍然存在挑战,其生长机理也缺乏深入的研究。另外,如何利用CsPbX3纳米晶的光物理特性优势,开发新的应用也是这个领域需要解决的重要问题。本论文从材料合成出发,开发了工艺简单的溶剂热合成方法,成功地制备光学性能优异、形貌和维度可调、稳定性高的CsPbX3纳米晶,同时深入地研究了形貌调控的生长机理。此外,通过聚乙烯吡咯烷酮（PVP）配体辅助合成的方法,提高了 CsPbX3钙钛矿材料的稳定性并探究了该材料的光催化性能。论文的主要工作如下:1.首次报道了一种操作简单的溶剂热法成功地制备尺寸均一、组成和形貌可控的高质量CsPbX3纳米晶（纳米立方体和纳米线）。制备得到的CsPbX3纳米立方体具有高PLQY（＞80%）,窄发射半峰宽（12-36nm）和发射波长在可见光范围内可调等优异的光学性质,在白光LED器件中展现了较宽的发光色域。此外,所制备的CsPbBr3纳米线由于其形貌决定的量子限域效应,发射明亮的蓝色荧光,这为制备蓝光LED器件提供了具有前景的发光层候选材料。2.通过溶剂热法中前驱体化学计量比的调控,实现了对CsPbX3纳米晶形貌的精准调控。机理研究表明,当Cs/Pb前驱体比例较小时,体系中质子化的辛胺容易占据纳米晶体表面上Cs离子的位置,从而降低纳米晶的表面能,形成低维纳米材料。随着Cs前驱加入量的逐渐减小,CsPbX3纳米晶的形貌从三维纳米立方体,依次向二维纳米片/纳米带再到一维纳米棒演变。本工作不仅为钙钛矿材料形貌控制提供了一个有效的合成策略,同时对理解CsPbX3纳米晶的可控生长机理具有重要意义。3.通过溶剂热法中纳米晶不同生长阶段的动力学调控,制备得到一种新颖的多足CsPbBr3纳米花。结合生长过程中对纳米晶的形貌、物相和光谱分析,充分研究了该复杂结构的形成机理,证实了 CsPbBr3纳米花的形成过程包含Cs4PbBr6向CsPbBr3相转变和CsPbBr3再生长两个过程,且早期Cs4PbBr6纳米晶种的形成对纳米花结构的演变起着至关重要的作用。最后,以CsPbBr3纳米花为绿色发光层制备得到了高性能的白光LED器件。4.利用PVP表面配体辅助共沉淀法,在多种极性溶剂中成功地制备了形貌尺寸均一、稳定性高的CsPbBr3胶体纳米团簇。机理研究表明CsPbBr3纳米团簇是通过小尺寸CsPbBr3纳米晶的自组装方式形成。与常用的热注入法制备得到的CsPbBr3纳米晶相比,所制备的CsPbBr3纳米团簇显示出极为优异的抗极性溶剂稳定性。此外,该制备方法具有普适性,通过方法延伸可合成多种无铅钙钛矿纳米团簇。最后,我们以所制备的CsPbBr3纳米团簇为光催化剂,探究了其在光催化染料降解上的应用,其表现出了优异的稳定性和催化活性。