论文部分内容阅读
光通信技术的突破极大地推动了信息化时代的发展,信息化的发展始终伴随着对光通信系统传输容量与带宽需求的提高。以波分复用(WDM)技术为代表的光通信技术是未来构建智能光网络的关键。为了尽量发挥WDM技术的优势,在通信网络中,我们需要波长可调谐的半导体激光器。可调谐半导体激光器能够根据要求来动态调整输出波长,在宽带光通信系统和智能光网络(SDN)中有着重要的应用。为密集波分复用(DWDM)系统中的固定波长激光器提供备份,波长转换以及光路由等都是其重要功能。大规模的应用可调谐激光器将减少所需的备份器件数量,从而简化系统,降低成本,提高可靠性。如今可调谐半导体激光器已成为新一代密集波分复用系统以及全光网络中光子交换的关键光电器件。与此同时,对波长可调谐激光器发出的光进行外调制,可以有效的避免直接调制所带来的高啁啾并在一定程度上克服传统单模光纤中的色散效应。基于QCSE的高速电吸收调制器,由于其低成本,低能耗,结构紧凑且易与DFB激光器、SOA等光器件集成的特点,也已经成为40-Gb/s光通信系统中的关键组件。利用量子阱混合等有源、无源集成技术,设计单片集成的可调谐电吸收调制激光器(EML),对于未来光通信网络的扩大与普及有着重要的现实意义。本文提出了一种基于V型耦合腔波长可调谐激光器与集总型电吸收调制器的新型电吸收调制激光器(EML),采用了量子阱混合技术来进行单片集成；引入了一个简洁的电吸收光调制器模型来分析其高频特性；通过对EML的层状结构以及外部尺寸进行优化,仿真结果显示其电光响应-3 dB带宽可达16GHz,电吸收调制器部分的结电容仅为0.17 pF。最后,依据仿真结果进行了实物器件的制作并对其静态性能进行了测试,我们相信这种新型波长可调谐EML在未来DWDM系统的应用中将发挥重要的作用。