适合SAW器件的BN/diamond多层膜的制备与研究

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声表面波(Surface acoustic wave,SAW)技术是一种新兴的高新技术,它是声学、电子学、光学相交叉的一门边缘学科。氮化硼((BN)是一种性能优异,极具发展潜力和广泛应用前景的新型宽带半导体材料。h-BN属于六方晶系,且具有高声波传输速率和优良的透光性,因此可作为SAW器件中合适的压电薄膜。据此提出由“h-BN/Diamond”形成的“压电薄膜/高声速薄膜”多层薄膜结构,来优化SAW器件的“压电薄膜/高声速材料”多层膜结构。本论文使用的是射频磁控溅射方法,在硅衬底、金刚石衬
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