本论文基于侧墙技术,确定了薄膜制备工艺和薄膜材料的选择标准,选择了溅射和溅射刻蚀工艺制备金侧墙。最终结合标准紫外光刻、具有保形性沉积特性的金薄膜溅射、氩等离子体溅射刻蚀和深反应离子刻蚀(deep reactive ion etching, DRIE),提出了一种在硅衬底上制作二维纳米模具的方法。该方法简化了制备工艺流程,减小了侧墙与衬底之间的应力,无需昂贵的纳米光刻技术和设备(如电子束光刻等)即可制备出精细的纳米结构。设计了1μm和2μm两种线宽、2μm和10μm两种间距的4种掩膜版图形,研究了不同曝光时间和显影时间对光刻效果的影响,经过优化得到了20s曝光和30s显影的最佳光刻胶台阶形成条件；研究了溅射和溅射刻蚀工艺的主要参数,将金薄膜厚度精确控制在213～222nm,并成功去除了水平方向上的金层；采用O2作为等离子刻蚀气,优化了去胶工艺的主要工艺参数,去除光刻胶台阶得到了金侧墙。采用SF6、O2和C4F8作为等离子体刻蚀气,研究了深反应离子刻蚀的各主要工艺参数(包括刻蚀／钝化循环周期、反应腔压力、SF6/O2下电极功率和O2流量)对侧壁粗糙度和刻蚀速率的影响规律并进行了优化,获得了垂直的模具侧壁和最小30nm的侧壁粗糙度尺寸。针对深反应离子刻蚀过程中的长“草”现象,提出并验证了一种基于SF6、02、C4F8等离子体的刻蚀作用机理,通过调节C4F8的下电极功率抑制并消除了“草”的生长,同时获得了小的侧壁粗糙度,最终成功制作出统一均匀的二维硅纳米模具,模具纳米线宽200nm、高200nm、长4.3mm。