【摘 要】
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本文实验研究了外延石榴石磁泡薄膜样品中三类硬磁畴(普通硬磁泡OHB、第一类哑铃畴(ID)、第二类哑铃畴(IID))畴长随直流偏场的变化关系，并详细研究了不同旋转方向的哑铃畴(ID、IID)的畴长随直流偏场的变化关系。 首次实验发现普通硬磁泡OHB、第一类哑铃畴(ID)、第二类哑铃畴(IID)的畴长随直流偏场的变化规律非常相似，均存在一个特征直流偏场(H_b)_t，当H_b＜(H_b)_t时，
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本文实验研究了外延石榴石磁泡薄膜样品中三类硬磁畴(普通硬磁泡OHB、第一类哑铃畴(ID)、第二类哑铃畴(IID))畴长随直流偏场的变化关系，并详细研究了不同旋转方向的哑铃畴(ID、IID)的畴长随直流偏场的变化关系。 首次实验发现普通硬磁泡OHB、第一类哑铃畴(ID)、第二类哑铃畴(IID)的畴长随直流偏场的变化规律非常相似，均存在一个特征直流偏场(H_b)_t，当H_b＜(H_b)_t时，畴长随直流偏场的变化呈无规律状态，亦即畴长随直流偏场的变化与硬磁畴畴壁中所含垂直布洛
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