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应变技术通过对能带进行调制以减小载流子有效质量与散射率,提升载流子迁移率从而提升器件性能,且与CMOS工艺兼容,被广泛运用于MOS器件中。传统的接触刻蚀阻挡层(Contact Etch Stop Layer,CESL)技术难以同时提升RF LDMOSFET的沟道区和漂移区载流子迁移率。另外随着器件尺寸进一步缩小,传统应变技术或传统PSOI技术均难以既提升RF LDMOSFET器件性能又有效抑制短沟道效应。针对以上问题,本文通过理论与仿真分析,对应变RF LDMOSFET开展了如下研究:首先,运用Sentaurus仿真分析了漂移区正应变射频LDMOSFET的力学特性和电学特性。为解决漂移区应力反型,载流子迁移率降低的问题,提出的漂移区正应变射频器件通过在漂移区表面淀积与其他区域不同性质的应力膜,成功地向沟道和漂移区引入了同型应力,实现了同时提升漂移区和沟道载流子迁移率的目的,使得漂移区迁移率提升达24%。传统PSOI RF LDMOSFET器件的顶层硅厚度减薄使漂移区变得狭长、漂移区应力反型均使漂移区电阻增大。漂移区正应变射频器件的漂移区应力与沟道同型,使得漂移区载流子迁移率获得较大提升导通电阻降低。此外高漏压低栅压偏置时漂移区表层处于耗尽状态,此时导通电阻和频率特性的提升主要由沟道迁移率决定,因此相比无应变器件,普通CESL应变和新型CESL应变的截止频率提升幅度相近,提升幅度分别为24%与28%;高栅压时漂移区表面电子积累,此时由于普通CESL应变使得漂移区载流子迁移率降低,因此沟道正应变器件和常规应变器件相比普通无应变射频器件,对应高栅压时的截止频率分别提升18.9%和5.5%。其次,运用Sentaurus仿真分析了超薄应变PSOI RF LDMOSFET的力学特性和电学特性。Sentaurus Sdevice有限元仿真软件仿真表明超薄应变PSOI RF LDMOS器件的驱动能力相对无应变体硅射频LDMOS提升达73%,大于超薄SOI单独作用(提升37.2%)与应变技术单独作用(提升24.6%)的简单叠加。超薄应变PSOILDMOSFET兼具应变技术和超薄SOI技术的优点,沟道下方的局部BOX结构既能有效抑制短沟道效应,使器件DIBL从47mV/V降低到28mV/V,还能有效增大传统CESL应变体硅器件沟道的应力,进一步提升沟道载流子迁移率。