【研究背景】脑卒中是一种致死性和致残性极高的疾病,并严重影响患者的生活质量,主要分为缺血性脑卒中和出血性脑卒中。正常情况下,大脑两侧半球通过交互性半球间抑制达到并维持大脑功能的兴奋与抑制平衡状态,当发生卒中后,双侧大脑半球间的平衡状态被打破,健侧半球对患侧半球抑制性作用增强,这也是加剧患侧脑皮质功能抑制的主要原因。重复经颅磁刺激是一种非侵入性的新型神经电生理刺激技术,其中高频重复经颅磁刺激（≥5 Hz）可以提高患侧半球的皮质兴奋性;而低频复经颅磁刺激（≤1 HZ）则会抑制健侧半球的兴奋性。越来越多的基础研究和临床试验证实重复经颅磁刺激可以用于缺血性脑卒中的治疗,主要以提高患者卒中后认知障碍、功能残疾及情感障碍等。针对重复经颅磁刺激是如何改善缺血性脑损伤,现有的研究大多集中在对血管再生和神经元的影响及调控方面,而对炎症调节系统的研究甚少,且目前大部分研究集中在重复经颅磁刺激治疗短暂性缺血性脑卒中,而对永久性缺血性脑卒中研究较少。激肽释放酶-激肽系统是机体内重要的炎性调节系统,脑组织缺血损伤后,可以激活激肽释放酶催化形成以缓激肽的形式存在的激肽,缓激肽主要作用于缓激肽B1和B2受体,可激活MAPK、PLC等细胞信号转导通路,发挥其生理和病理的作用。近年来,关于激肽释放酶-激肽系统在缺血性脑卒中方面的研究主要集中在对急性期脑水肿和血脑屏障通透性的作用方面。有研究证实,缓激肽B1R在正常组织内含量较低,组织损伤或炎症时可诱导缓激肽B1R过度表达。那么不同频率的重复经颅磁刺激治疗缺血性脑卒中时,缓激肽B1R存在怎样的动态变化过程?缓激肽B1R在重复经颅磁刺激治疗缺血性脑卒中时发挥了何种作用?【研究目的】1.观察不同频率重复经颅磁刺激对缺血性卒中脑小鼠缺血脑组织的缓激肽B1R的表达变化。2.探讨缓激肽B1R在高频重复经颅磁刺激治疗缺血性脑卒中小鼠急性期时的作用。【研究方法】第一部分:我们利用线栓法构建永久性大脑中动脉闭塞小鼠模型。按照随机数字表法分别分为随机分为假手术组、造模组、低频组和高频组,应用TTC染色法评估p MCAO小鼠脑梗死体积大小,采用m NSS评估神经功能缺损程度,应用RT-q PCR检测缺血脑组织内B1R、B2R和AQP-4 m RNA表达,并采用Western blot方法观察缺血脑组织中B1R和B2R的蛋白水平变化。第二部分:采用线栓法构建永久性右侧大脑中动脉闭塞小鼠模型,随机分为4组:造模组、造模+B1R激动剂[（Des-Arg9）-Bradykinin]组、高频组（5 Hz 20%强度,连续刺激3 d）、高频+B1R激动剂组,72 h后运用m NSS评估神经功能缺损程度,干湿重法测定脑水肿程度,伊文斯蓝渗出评价脑血屏障通透性,Western blot分析其相关蛋白的表达,免疫组织化学染色比较星形胶质细胞的激活,TUNEL染色测定细胞凋亡情况,RTq PCR检测炎性因子的表达水平。【研究结果】1.缺血性脑卒中小鼠急性期时3 d较1 d脑梗死体积明显增加,神经功能缺损加重。2.低、高频重复经颅磁刺激治疗均能显著降低缺血性脑卒中小鼠脑组织内B1R、B2R及AQP-4的m RNA表达含量（P<0.05）,且B1R和B2R蛋白水平的变化与m RNA表达改变的趋势基本一致。3.在低、高频重复经颅磁刺激治疗方案中,高频方案能最大程度改善神经功能缺损、脑水肿和炎症反应情况。4.相比于单纯缺血性脑卒中,给予B1R激动剂后,小鼠的神经功能缺损、脑水肿程度、血脑屏障破坏程度、细胞凋亡和炎症反应均明显加重;相比于高频重复经颅磁刺激治疗,给予B1R激动剂后,高频+B1R激动剂组小鼠的神经功能缺损、脑水肿程度、血脑屏障破坏程度、星形胶质细胞凋亡以及炎症反应显著加重。【研究结论】1.本文采用线栓法构建永久性缺血性脑卒中小鼠模型,低、高频重复经颅磁刺激作用于大脑皮层后的确能有效改善缺血性脑损伤,且考虑综合因素下,高频较低频治疗效果更佳。2.重复经颅磁刺激治疗缺血性脑卒中小鼠时缓激肽B1R的相对低表达可能是减轻脑缺血损伤的机制之一。3.高频重复经颅磁刺激治疗对缺血性脑卒中具有神经保护效应,而如果同时给予缓激肽B1受体激动剂,则会抑制保护效应。