在集成电路制造清洗工艺中,水痕缺陷是一种常见的缺陷类型,其对芯片的良率具有较大的影响,特别是在前段制造工艺中(FEOL)。本文以动态随机存取存储器(DRAM)芯片栅电极制作中在硅化钨(WSix)沉积之前多晶硅自生氧化物去除清洗(WSix PRECLEAN)工艺步骤做为实验对象,对此工艺步骤产生的水痕缺陷进行研究。通过对大量缺陷的电子扫描和对缺陷的化学成分进行分析,找出水痕缺陷的特点,得出判断方法。继续完成后续工艺步骤,逐步观察水痕缺陷在后续工艺中形态的变化、对后续工艺步骤产生的影响和缺陷对产品良率的影响,并分析得出其失效模式。对于已经产生的水痕缺陷,由成分分析的结果,找出有效的重新化学表面处理(REWORK)去除缺陷的方法。分析研究对象表面材质亲水性质,并依据晶圆在化学清洗液中的清洗原理,阐述经清洗工艺中不同特性的化学清洗液处理以后的晶圆表面亲水性质,结合当前广泛应用在晶圆清洗中的干燥机构,来研究不同的表面亲水性质在不同干燥工艺条件下与水痕缺陷之间产生的联系。最后根据目前广泛应用在清洗技术中的干燥机构原理,结合晶圆的表面性质,通过优化干燥机的参数有效的改善缺陷问题。