ZnO在新兴的纳电子学和光电子学中有潜在的应用，使其在纳米光电子器件、纳米传感器、光电子器件等方面拥有巨大的应用空间和潜力。由于表面效应，ZnO纳米线的导电性质受环境气氛、温度及光辐射的影响显著，因此，对低温下单根 ZnO纳米材料电阻随温度变化的研究以及紫外光响应的研究，有助于更好地理解一维纳米结构的电子输运行为。　　本文采用化学气相沉积（CVD）法合成 ZnO纳米线。利用微栅模板法制备单根氧化锌纳米线欧姆接触的微电极，为了研究单根 ZnO纳米线器件在低温下的电子传输机制，对器件在60 K~300 K温度范围内单根ZnO纳米线电阻随温度的变化特性进行了测试，并对电阻随温度变化的数据进行拟合，得到160 K~300 K温度内，热激活传导为主要的输运机制。而在60K~140 K温度内，载流子只能在最近邻能态上进行跳跃传导，即此时近程跳跃传导为主要的输运机制。在300 K、200K、100K等不同温度下测试了单根 ZnO纳米线器件的紫外光响应和恢复情况。结果表明，低温下器件对紫外光的敏感性提高，电流的恢复时间随着温度的降低而延长。