CMOS-MEMS工艺制造的微型传感器能够利用标准CMOS工艺实现传感器的低成本、批量生产,这也是MEMS传感器相对于传统传感器的优势之一。湿法腐蚀是CMOS-MEMS工艺中较为常用的MEMS后处理工艺,利用KOH、TMAH、EDP等碱性溶液的各向异性腐蚀特性实现传感器的腔、槽等结构。但是CMOS工艺中制作的Al焊盘和多晶结构极易为上述的腐蚀液所腐蚀,所以CMOS工艺完成的芯片不适宜直接进行后续后处理中的湿法腐蚀,需要采取一定的措施加以保护。本课题的目的在于如何保护湿法腐蚀中芯片的焊盘和结构。根据湿法腐蚀在实际体硅腐蚀中的不同作用,湿法腐蚀又可以分为背面腐蚀和正面结构释放。因此,本课题采取了不同的解决方案。ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)是一种工程塑料,它具有良好的耐碱特性和粘附性,所以对于背面腐蚀工艺,我们采用一种新的利用ABS有机膜作为芯片正面结构的保护膜的方案,ABS胶由ABS粒子和化学有机溶剂按照一定比例配制而成,胶膜的涂敷、坚膜等处理过程与光刻胶的处理过程类似,大量的实验试验了胶膜的特性,研究了不同厚度胶膜、不同坚膜温度对实际芯片保护的影响,并应用此工艺对风速计和压力传感器的背面进行了释放。对风速计释放的目的是降低传感器的热容量,从而提高了传感器的反应灵敏度。对芯片的正面结构释放时同样需要考虑保护芯片上的电路。通常KOH、TMAH等各向异性腐蚀溶液腐蚀铝的速率较快,但是掺硅的TMAH溶液的对铝的腐蚀速率会随着掺硅数量的增多而下降,所以采用掺硅的TMAH溶液实现芯片的正面结构释放。在实验中,研究了不同硅浓度TMAH溶液的腐蚀速率以及腐蚀表面形貌以及添加剂过硫酸铵的影响,并利用了测试图形测试了腐蚀溶液的横向腐蚀速率。应用此方案对风速计的正面结构进行了释放,并获得了成功。课题的研究实验皆利用东南大学教育部MEMS重点实验室的工艺条件进行,实验采取的方案具有简单易行,成本较低等优势。