半导体纳米线因其在结构、功能和制造方面独特的功能,是重要的光学和电学材料。其中,ZnO纳米线是一种重要的直接带隙宽禁带半导体,禁带宽度为3.3eV。它在紫外光波段有着强烈的光吸收,导致有着明显的电子从价带激发到导带的电子输运现象。基于ZnO纳米线的紫外光电探测器因为其超高的光增益,有着一系列良好的应于前景。然而进一步的发展研究纳米线基光电子器件也遇到了很多问题。目前的光电子器件结构较为单一,仍需要制备出满足光电子应用的纳米线并开发新的器件制备方法。大部分ZnO纳米线光电探测器,经常暴露在空气中而使大量的水和氧气吸附在表面,从而导致器件性能降低。本论文工作在研究了半导体纳米线光电探测器原理的基础上,进行了ZnO纳米线生长、半导体光电探测器的制备、表面态处理等一系列研究。主要研究内容如下：(1)利用化学气相沉积的方法,无催化剂生长ZnO纳米线。并利用生长所得到的纳米线,制备了基于侧面电极的肖特基紫外光电探测器。由于其特殊的径向结构,而导致光生载流子漂移扩散至电极的距离大大减少,从而有效的降低了输运过程中光生载流子的复合。在随后对光电探测器的性能表征过程中,光电流与暗电流之比达到三个数量级,并且表现出了肖特基结良好的整流特性。(2)通过对利用化学气相沉积方法所得到的ZnO纳米线进行表面态钝化处理,例如在高强度下对ZnO纳米线进行长时间的紫外辐射,修复了ZnO纳米线内的氧空位,有效的减少了ZnO纳米线与金肖特基结处的水氧吸附。与没有经过处理过的Zn0纳米线探测器对比,在-1V的反偏电压下,暗电流从20pA下降到2pA,而回复时间也从20s减小到2s。通过对零偏压下光响应机制的分析,说明了径向结构光电探测器的优势。我们进一步地对基于表面能带理论的物理模型进行了研究,去解释这种性能提高基本原理。