随着CMOS集成电路技术进入纳米时代,一些物理现象开始在MOS器件中出现,如短沟道效应,速度饱和效应等,这使得传统的器件小型化(scaling)已不能再有效地提高器件以及电路的整体性能。为了去克服这一技术上的瓶颈,高迁移率的半导体材料如SiGe、Ge、Ⅲ/Ⅴ族材料等被考虑引入到新的器件结构中,通过提高沟道载流子的迁移率、减小沟道电阻,从而提高器件的性能和速度。其中,Ge由于它的高空穴迁移率,成为pMOSFET器件最有希望的沟道替代材料。然而,日益减小的器件尺寸也使MOSFET器件源漏区的串联寄生电阻RSD对驱动电流的克制作用愈加严重。其中,源漏接触电阻Rcsd在源漏串联寄生电阻中占据越来越大的比重。因此,减小Rcsd是小尺寸器件发展中一个亟待解决的重要问题。而目前,Si1-xGex作为主流的源漏材料,它的硅锗化物的电学特性还未得到系统的研究。其中,Ni依旧是现在最热门的源漏金属的材料。本文针对如今主流的Ni的硅锗化技术,制备出了不同Ge含量的NiSi1-xGex合金的样品,对其电学特性进行了研究与优化,例如薄层电阻率、比接触电阻率和功函数,同时模拟其对短沟道器件的性能的影响。