【摘 要】
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本工作采用螺旋波等离子体化学气相沉积(HWP-CVD)方法制备了氢化非晶氮化硅(a-SiN_x：H)薄膜，系统地研究了不同反应气体配比对薄膜特性的影响，得到了沉积不同组分a-SiN_x：H的典型实验条件。利用椭偏仪，傅立叶红外吸收谱(FTIR)，X射线光电子能谱(XPS)等技术对a-SiN_x：H的结构特性进行了表征与分析，结果表明，采用HWP-CVD技术合理控制实验条件，可得到镶嵌在SiN_x中
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本工作采用螺旋波等离子体化学气相沉积(HWP-CVD)方法制备了氢化非晶氮化硅(a-SiN_x：H)薄膜，系统地研究了不同反应气体配比对薄膜特性的影响，得到了沉积不同组分a-SiN_x：H的典型实验条件。利用椭偏仪，傅立叶红外吸收谱(FTIR)，X射线光电子能谱(XPS)等技术对a-SiN_x：H的结构特性进行了表征与分析，结果表明，采用HWP-CVD技术合理控制实验条件，可得到镶嵌在SiN_x中的纳米Si结构薄膜。在此基础上，通过紫外-可见光谱(UV-VIS)技术，时间分辨光致发光谱技术研究了不同
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