纳米材料由于其量子尺寸效应等特性,具有独特的电学、光学和磁学性能,优于传统光电材料,是制作光电器件和高性能电子器件的重要材料之一,在许多领域都有优秀的应用前景。目前有大量纳米材料应用案例,如基于纳米线的场效应晶体管,气体传感器,日盲光电探测器等通过使用纳米材料技术提升了器件性能。在众多材料科学研究的课题之中,纳米材料生长工艺和表征手段的研究备受关注。近年来,许多研究团队使用不同的制备工艺技术成功地制备了各种不同形貌的纳米材料。Ga2O3是一种具有超宽禁带的半导体氧化物,现阶段研究认为其带隙的范围在4.9e V～5.2e V之间,具有十分优秀的物理、化学稳定性,在对功率、电压以及电流密度都有较高要求的光电器件中具有良好的应用前景。同时基于氧化镓的合金化合物也是当今研究的热点,通过调节合金化合物中其他元素的不同浓度可以提高纳米材料的性能。（Ga In）2O3就是一种基于氧化镓的合金化合物,同时具备了透明氧化物的特性,属于近年来备受关注的新型多元体系材料。禁带宽度可通过调整元素比例而介于In2O3与Ga2O3之间（3.7e V～4.9e V）,在低载流子浓度环境下呈现出良好的导电性能,而在可见光波段范围内,（Ga In）2O3对光吸收率相对较低。本课题使用化学气相沉积法,使用纯金属镓和氧气氩气按比例混合的气体作为反应源,未使用催化剂,在硅衬底上成功制备出一系列β-Ga2O3纳米材料,通过分析样品测试结果,不断调整制备过程中的工艺参数,进行对照实验。同时使用了金属镓、金属铟和氧气、氩气的混合气体作为反应源在衬底上制备了（Ga In）2O3合金纳米结构。制备结束后使用扫描电镜（SEM）,能谱仪（EDS）,X射线衍射仪（XRD）和荧光分光光度计（PL）对实验制备所得的样品进行了表征分析。实验通过改变工艺参数制备了β-Ga2O3纳米材料样品。通过分析比对不同生长温度,时间以及载气的氧含量样品的测试结果,我们优化了实验方案,分析出β-Ga2O3基本遵循了气固生长机制。光致发光特性测试中发现β-Ga2O3纳米材料具有较宽的发射光谱带,峰位在392nm。此外对实验所得的（Ga In）2O3合金结构样品进行了相关测试,结果表明随着温度的升高,样品结果出现了由纳米柱向纳米球形态以及单斜晶系向立方晶系转化的现象。光致发光（PL）光谱展示了在波长400nm到450nm范围内出现了较宽的发射带,证实了样品同时具有立方系和单斜系晶体结构的特性。