近年来,人们对Cd（Ⅱ）离子采用不同的处理途径和方法,但难以实现对处理后的Cd（Ⅱ）离子回收再利用,因此,本文设计一种能够针对Cd（Ⅱ）离子选择性吸附的材料。本文以硅藻为载体,巯丙基三甲氧基硅烷（MPS）为功能单体,环氧氯丙烷（ECH）为交联剂,Cd（Ⅱ）离子为模板离子制备了硅藻基Cd（Ⅱ）离子表面印迹复合吸附材料（SH/DE-ⅡP）。使用不同的表征手段对所制备印迹材料进行表征分析,研究结果如下:（1）通过扫描电子显微镜（SEM）图像观察到硅藻表面形貌由光滑变得粗糙,且改性剂在硅藻表面随着交联剂的加入,分布更为均匀、规则;从X射线能谱图（EDS）观察到S元素,说明成功将功能单体负载到硅藻表面上,形成良好的复配效应。（2）通过透射电子显微镜（TEM）图像观察到:SH/DE-ⅡP孔隙内部结构比硅藻基非印迹吸附材料（SH/DE-NIP）的集中度高,交联使Cd（Ⅱ）离子分布状态和表面结构均化,说明了模板离子在印迹材料的制备过程中的重要作用。通过孔结构和表面积分析,印迹硅藻吸附剂比表面积为38.8 m² g^-1,平均孔径减小至4.5 nm,说明经过印迹改性,印迹硅藻吸附剂上形成了更多细小的微孔结构,提高了吸附能力。（3）根据傅立叶红外变换光谱（FT-IR）可知:接枝MPS后,3708.4 cm^-1处孤立羟基峰消失,2553.2 cm^-1处新增-SH特征峰,以及X射线光电子能谱（XPS）Si 2p拟合图谱中Si-C键,证明MPS水解后与硅藻孤立硅羟基缩合反应。根据交联过程C-O结合能峰位的出现,意味ECH开环,然后与-SH基团交联反应。洗脱后XPS图谱中S-Cd作用峰消失,硅藻上形成了与Cd（Ⅱ）离子大小形状相同的印迹结合位点。（4）根据SH/DE-ⅡP接枝度分析表明,MPS水解后与硅藻表面活性硅羟基的接枝方式是以单接枝为主,双接枝为辅。计算出的接枝度分别为13.85,印迹硅藻吸附剂提供了良好的复配效应。（5）通过单因素分析实验确定了SH/DE-ⅡP对Cd（Ⅱ）离子的最佳吸附条件,SH/DE-ⅡP在二元混合体系中,相对选择性系数大于1.5,且经过5次吸附-脱附后的去除率仍可维持在92%,具有良好的选择性和再生性。硅藻基Cd（Ⅱ）离子表面印迹复合吸附材料是一种稳定的吸附剂。