单晶硅各向异性腐蚀技术是MEMS技术的核心工艺之一，精确地对各向异性腐蚀的结果进行计算机模拟，对MEMS工艺水平的提高具有重要的意义。 本文在VC环境下，根据3-D动态连续CA算法抽象了硅各向异性腐蚀模型，利用面向对象编程语言实现了用户对图形的灵活操作，利用OpenGL技术实现了图形的绘制和腐蚀过程的三维动态显示，建立了硅各向异性腐蚀的三维动态模拟系统，从微观角度模拟了硅各向异性腐蚀的动态过程。本文首先分别建立了基于静态和动态存储方式单晶硅各向异性腐蚀微观模拟。通过分析单晶硅结构特点，提出了以硅晶胞为最小处理单位的设计思想，采用动静态相结合的方式对原子进行存储操作。根据用户输入腐蚀版图尺寸，系统动态分配二维数组存储原子信息，通过对每个原子信息的分析和判断，完成硅衬底动态腐蚀模拟。在腐蚀算法中，把硅各向异性腐蚀看作硅原子的移除过程，依据原子相邻原子和次相邻原子的数目判断原子所在晶面，根据用户输入的各晶面的腐蚀速率计算原子的生命值，当生命值为0时去除该原子。本系统利用硅晶胞的动态移动描述整个硅衬底腐蚀模拟的全过程，需要的存储空间小，提高了模拟计算的速度。 利用本文建立的模拟软件，对硅(100)台面凸角腐蚀中存在的切削问题进行较深入的探讨，设计了三种台面直角结构腐蚀的补偿图形，经实验验证取得了较好的补偿效果，理论分析和实验结果吻合很好。台面三角形和圆形掩膜图形进行腐蚀实验的腐蚀结果与计算机模拟结果完全一致，为复杂图形的补偿设计奠定了良好的基础。