高频磁性材料作为高频磁性器件的最核心组成部分,其高频磁性极大影响了高频磁性器件的性能。对于磁性薄膜材料,其高频磁性与材料的饱和磁化强度、磁各向异性和交换耦合作用等密切相关。本文以具有条纹畴结构的CoZr软磁合金薄膜为研究对象,通过改变薄膜的厚度、环境温度以及非磁性元素的掺杂浓度等方法,实现条纹畴薄膜交换耦合作用的改变,从而实现对条纹畴薄膜高频磁性的调控。得到的主要创新性结果如下:1.通过对不同厚度的条纹畴结构CoZr软磁薄膜进行研究,发现厚度的增加可以使薄膜的条纹畴宽度变宽从而使畴间交换耦合作用减弱,进而实现对条纹畴薄膜的高频磁性调控。具体结果为:薄膜厚度从150 nm增加到300 nm,薄膜高频段的共振频率从5.11 GHz下降到3.52 GHz,拟合出其交换耦合等效场从272Oe减小到60 Oe。2.通过改变条纹畴结构CoZr薄膜环境温度,发现随着温度的升高可以使薄膜内的交换耦合作用的减弱,进而实现对条纹畴薄膜的高频磁性调控。具体结果为:温度从室温升高到200℃,薄膜高频段共振频率从4.49 GHz下降到4.33 GHz,其交换耦合场从175 Oe减小到152 Oe。3.通过改变非磁性元素Zr掺杂浓度,发现Zr掺杂浓度的升高也会影响条纹畴的交换耦合作用,进而实现对条纹畴薄膜的高频磁性调控。具体结果为:薄膜中Zr掺杂浓度从14.2%升高到27.4%,薄膜高频段共振频率从4.44 GHz升高到5.29 GHz后再下降到2.68 GHz,其交换耦合场从170 Oe增加到250 Oe后又减小到80 Oe左右。通过以上研究我们发现对于具有条纹畴结构的软磁薄膜,可以采用改变薄膜内部交换耦合的方法对薄膜高频磁性进行调控,而且操作方法便捷高效,这为许多磁性器件高频性能的改善提供了一个新思路。