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反激式开关电源由于具有高能效、电路简单化、低成本等优点,已经被广泛应用于移动信息设备的电源充电器中。超结垂直扩散金属氧化物半导体型场效应晶体管(Vertical-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,VDMOS)作为反激式开关电源中的功率开关器件,具有耐压高、导通电阻低、开关速度快等优势,但是其过快的开关速度会在系统中形成强烈的辐射电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)噪声,严重影响系统性能,因此研究超结VDMOS器件辐射EMI噪声机制具有重大意义。本文首先搭建系统级辐射EMI噪声测试平台,实测结果得出零开启电流尖峰变化率越大,辐射EMI噪声越大,然后结合环路辐射噪声、超结VDMOS电流特性理论进行分析推导,得出增大器件栅极平台电压、栅极电容、栅极电阻等电学特性参数可以减小系统辐射EMI噪声,通过搭建器件级辐射EMI噪声仿真平台对现有器件进行零开启电流谐波仿真及近场辐射实测,验证上述结论。进而,提出了一种网格沟槽栅超结VDMOS器件结构,其采用网格栅结构有效增大栅电容,从栅极平台电压、栅电容对辐射EMI噪声、开关特性影响角度进行设计,使得该结构在保证了高能效特点的同时,同一系统条件下可以大大减小辐射EMI噪声。本文所提出并设计的网格沟槽栅超结VDMOS器件基于600V深沟槽刻蚀工艺进行流片,最终器件的流片测试结果显示,在国标标准下,应用有本文所提出超结VDMOS器件的系统标准辐射噪声频谱峰值低至37.81dBμV/m,且器件其余电学特性参数均维持在现有水平范围内,达到设计指标要求,满足反激式开关电源的应用需求。