本文在分析了国内外高压集成电路发展现状的基础上，研制了一种用于功率MOSFET、IGBT栅极驱动的600V高压功率集成数模混合电路PIC 并建立了相应的工艺平台。 本文所设计的HVIC在工艺上采用ABCD技术，将多种器件如高压LDMOS、NMOS、PMOS、各种击穿电压不等的ZENER管、二极管，电阻，电容等集成在同一芯片上，并保证电路在600V高压下协同工作。 在电路设计中，作者分析了功率器件对驱动电路的要求，设计了驱动电路的总体结构。对电路关键参数高低压电平位移脉冲宽度、高端滤波电路滤波宽度以及电平移位电路中与ZENER管并联的电阻的大小等进行了重点分析，并完成了各单元电路的设计，包括欠压保护电路的设计、为防止高压直流电路直臂导通，设计了合理的死区时间、并通过控制工作在700V高压的LDMOS的导通时间达到低功耗设计的目的、输出模块采用推挽输出结构。 为确保电路能正常工作，对电路中的关键元件LDMOS及耐高压的终端结构的设计进行了仿真和试制验证，确保其可行性。 在完成该电路的原理图设计以及确定了工艺方案的前提下，完成了版图设计并作了相应的DRC/LVS检查。