【摘 要】
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该文主要研究难熔金属Mo对于C54 TiSi生长的增强效应的机制问题.将约1 nm Mo薄膜沉积在Ti薄膜和Si衬底之间,或者沉积在Ti薄膜的表面,在常规退火炉中进行热处理使之发生固相反
【出 处】
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中国科学院上海原子核研究所 中国科学院上海应用物理研究所
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该文主要研究难熔金属Mo对于C54 TiSi<,2>生长的增强效应的机制问题.将约1 nm Mo薄膜沉积在Ti薄膜和Si衬底之间,或者沉积在Ti薄膜的表面,在常规退火炉中进行热处理使之发生固相反应.一方面利用卢瑟福背散射(RBS)和X射线衍射(XRD)对Si和金属间的固相反应和相的生成进行宏观表征,另一方面利用截面透射电子显微镜(XTEM),电子微衍射分析以及微束X射线能谱(EDS)从微观角度研究薄膜中的晶格结构和微区组分进行分析.该文用X-射线光电子谱(XRS)和沟道技术(RBS-C)研究了另一种硅基材料高κ ZrO<,2>的热稳定性.ZrO<,x>具有ZrO<,2>的化学键,并在900℃保持稳定.ZrO<,2>/Si界面很稳定,经400℃退火1小时在界面不形成ZrSi<,x>O<,y>.
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