ECR-CVD制备的SiO<,x>/a-C:F/SiO<,x>多层膜的结构与介电性质

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【摘要】

：

食用80％Ar稀释的SiH4，O2，CHF3和CH4作为前驱气体，利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了氧化硅／氟化非晶碳膜／氧化硅(SiO_x／a-C：F／SiO_x)多层膜与单层的氟化非晶碳膜(a-C：F)，并在N_2氛围退火处理中考察其热稳定性。使用台阶仪测量退火前后膜厚的变化；用紫外可见分光光度计(UV-VIS)测量了膜的透光谱，并计算了其光学带隙；用傅立叶变

【作者】

：

陈军

【机构】

：

苏州大学

【发表日期】

：

2004年04期

【关键词】

：

ECR-CVD 多层膜氟化非晶碳膜介电常数热稳定性

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