氟化非晶碳膜相关论文
以CF4和C6H6混合气体作为源气体，在微波电子回旋共振化学气相沉积（ECR-CVD）装置中制备了氟化非晶碳薄膜（a-C:F），并在N2气氛中作了退火处......
采用低k材料取代二氧化硅作为层间介质可以有效减小集成电路互连RC延迟，抑制串扰和降低功耗。氟化非晶碳(a-C：F)膜是有希望应用于集......
用苯（C_6H_6）和三氟甲烷（CHF_3）混合气体作源气体，采用永磁微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积（MWECR—CVD）技术，成功地制备了低介电常......
用C_6H_6和CF_4作为源气体，在微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统中(ECR-CVD)，制备了氟化非晶碳膜(a-C:F,H膜)，并对其进行真空......
利用反应射频磁控溅射法,以单晶Si片为衬底,在不同功率下制备了氟化非晶碳膜样品,并进行了不同温度的退火处理.采用拉曼光谱、傅里......
以CF4和C6H6的混合气体作为气源 ,在微波电子回旋共振化学气相沉积 (ECR CVD)装置中制备了氟化非晶碳薄膜 (a C :F) ,并在N2 气氛......
采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (MWPECRCVD)方法 ,使用不同的源气体 (CHF3 CH4 ,CHF3 C2 H2 ,CHF3 C6 H6 )体系制备了......
综述了用于超大规模集成电路中互连介质的氟化非晶碳膜(a-C:F)的制备、化学键结构、介电常数与热稳定性、填隙能力、粘附性、热导......
采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,用苯和三氟甲烷混合气体,制备了氟化非晶碳膜(a-C:F).用红外吸收光谱(FTIR)......
用苯(C6H6)和三氟甲烷(CHF3)混合气体作源气体,采用永磁微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWECRCVD)技术,制备了氟化非晶碳膜......
使用80%Ar稀释的SiH4,O2,CHF3和CH4作为前驱气体,利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了SiOx/a-C:F/SiOx......
利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术,通过改变微波输入功率的方法,沉积了具有不同结构特征的氟化非晶碳(α-C:F)薄膜.......
