【摘 要】
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半导体材料的输运材料的模拟是研究器件特性的基础.该论文介绍了蒙特卡罗方法模拟半导体输运特性的基本原理,分析了Si的能带结构.在简单能带的模型下,分析了简单能带下的散射
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半导体材料的输运材料的模拟是研究器件特性的基础.该论文介绍了蒙特卡罗方法模拟半导体输运特性的基本原理,分析了Si的能带结构.在简单能带的模型下,分析了简单能带下的散射机制,实现了Si的简单能带模拟,并对结果进行了一些比较和讨论.在简单能带的基础上,提出了Si的全能带蒙特卡罗模拟模型;建立了全能带蒙特卡罗模拟程序的框架.论文计算了Si的能带值;以Si的全能带状态密度进行了模拟计算并比较了其对散射率的影响.论文根据以前的计算飞行时间的算法,作了一些改进,提出固定时间步长的计算飞行时间的算法,并和其它算法的结果进行比较和分析.建立了一套适用于器件模拟的以Client/Server结构为模型的具有无限可扩充性的器件模拟软件,该软件能根据所需随时加入新的模拟模块,实现新的模拟功能.该论文是中国首次对Si的输运性质进行系统的蒙特卡罗模拟研究,填补了国内的空白.
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