由于碳纳米管独特的机械、电学以及光学性质，显示出了广阔的应用前景。单壁碳纳米管根据其对称性结构可以呈现金属性或半导体性。碳纳米管中的电子输运是典型的弹道输运，它具有电流密度大，小电阻，以及大载流子迁移率，热导性能好等优点，到目前国内外已有很多实验室利用单壁半导体性碳纳米管制成了碳纳米管场效应晶体管，其有可能应用到纳米电子集成电路，并有可能带来电子工业器件产品的小型化及性能的飞跃。但是，实验已观测到碳纳米管场效应晶体管中的无规则电报信号杂音，而且该杂音强度有时还大于硅晶体管中的电杂音。众所周知，栅极氧化层中很多缺陷引起的无规则电报信号杂音的叠加会导致1/f低频电杂音[P. Dutta and P.M. Horn, Rev. Mod. Phys.53,497(1981)]。电杂音问题是影响碳纳米管场效应晶体管进入产业化生产的障碍之一。因此，理解一个缺陷电荷在碳纳米管中引起的无规则电报信号杂音对于设计低杂音的碳纳米管场效应晶体管非常重要。本论文主要运用非平衡格林函数具体理论，从而准确的计算碳纳米管场效应晶体管中的电子输运和无规则电报信号杂音，系统研究该杂音强弱与碳纳米管的半径、栅极氧化层的厚度，以及绝缘层的介电常数等因素的关系，在此基础上研究一个缺陷电荷在复合绝缘电介质中所引起的无规则电报信号杂音的特征，最后找到减小该电杂音的方法，为设计性能好的碳纳米管场效应晶体管提供理论依据。碳纳米管场效应晶体管性能的提高有助于加速其产业化进程。