单晶硅材料的禁带宽度较大且为间接带隙结构，因而只能对可见光进行有效吸收。通过对单晶硅表面进行微刻蚀和元素掺杂，在形成良好陷光结构的同时，拓宽探测器的光谱响应，从而具备一定的近红外探测能力，这便是黑硅（BlackSilicon, BS）材料及其应用的初衷。近年来，凭借其诸多优异的光电特性，黑硅已成为最重要的硅基光电材料之一，在可见-近红外宽光谱光电探测和新型高效太阳能电池领域，获得了普遍关注并获得了实际应用。任何基于半导体材料的电子器件，在实用化过程中都必须解决好金属电极与半导体材料的电接触问题。本文基于对黑硅材料特性研究和器件化应用的需要，对“金属/黑硅”接触进行了较为系统的研究，研究内容主要包括：1)用单槽电化学方法制备不同孔洞深度的黑硅材料；2)用热蒸发、磁控溅射和化学镀（传统化学镀和直接化学镀）工艺，在孔深310μm的深孔黑硅表面沉积不同材料的金属；3)借助扫描电镜SEM，对Al/BS、Ni/BS、NiCr/BS和NiP/BS接触界面的微观形貌进行观察，并用纵向I-V测试模型和圆点型传输线模型，对各种“金属/黑硅”接触的电学性能进行比较测试、分析和讨论。研究结果表明：由于受阴影效应的影响，热蒸发Al和Ni金属无法完全填充黑硅材料的孔洞；溅射法沉积的NiCr镀层能够沉积到黑硅的孔洞底，但镀层致密性和均匀性较差；用化学镀制备的NiP合金能够完全填充黑硅的深孔结构，且镀膜均匀、致密。纵向I-V测试结果表明：经快速退火处理后的NiP/BS、Ni/BS接触，呈现出理想的线性对称欧姆接触特性；而Al/BS与NiCr/BS接触由于界面势垒或制备工艺的原因，只表现出近似欧姆接触特性。欧姆接触电阻率测试结果表明：热蒸发Ni/BS接触的比接触电阻率为2.02·cm²，而用常规化学镀和直接化学镀制备的NiP/BS接触具有更低的比接触电阻率，分别达到1.66×10^-1·cm²和1.32×10^-1·cm²。