【摘 要】
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该论文利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV STM)研究了室温条件下沉积在Si(111)7×7重构表面不同覆盖度的Ag粒子.实验结果表明,低覆盖度时的Ag粒子主要有A、B两种类型,其中A型Ag粒子呈环状结构,最小的A型Ag粒子由3个Ag原子组成;而B型Ag粒子则是由两层Ag原子构成.高覆盖度时Ag粒子的生长过程为层岛混合生长(Stranski-Krastanov)模式.该文还研究了不同蒸发速率对Ag
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该论文利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV STM)研究了室温条件下沉积在Si(111)7×7重构表面不同覆盖度的Ag粒子.实验结果表明,低覆盖度时的Ag粒子主要有A、B两种类型,其中A型Ag粒子呈环状结构,最小的A型Ag粒子由3个Ag原子组成;而B型Ag粒子则是由两层Ag原子构成.高覆盖度时Ag粒子的生长过程为层岛混合生长(Stranski-Krastanov)模式.该文还研究了不同蒸发速率对Ag原子成核的影响,发现在高蒸发速率条件下Ag原子在Si(111)7×7重构表面更容易成核.对沉积在Si(111)7×7重构表面的Ag进行退火处理,在退火温度不同的区域获得了不同的结果:在退火温度约为500℃的区域获得了Ag/Si(111)-(√3×√3)R30°重构;在退火温度约为600℃的区域获得了Ag/Si(111)-3×1重构;在退火温度约为800℃的区域,观察到了Ag大量脱附后的Si(111)表面.我们在Si(111)7×7重构表面沉积了0.03ML的C<,60>分子,证实C<,60>分子在Si(111)7×7表面有四种可能的吸附位(A有层错的亚单胞,A无层错的亚单胞,B角洞,C二聚物),测量了C<,60>分子在不同吸附位上的百分比.发现C<,60>分子在STM图像中表现为两种不同的尺寸,两者的测量高度都小于实际值而测量直径都大于实际值,利用C<,60>分子和Si表面相互作用的不同以及STM针尖的放大效应对这一现象进行了解释.我们模拟计算了在STM扫描过程中针尖和C<,60>分子的中心距离为1.3~1.8nm.并且测量了C<,60>分子和Si(111)7×7表面的扫描隧道谱,实验结果表明吸附在Si(111)7×7重构表面的C<,60>分子的最高占据态和最低非占据态之间的带隙(HOMO-LUMO gap)约为1.5eV.
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