本文采用闭合场非平衡磁控溅射离子镀技术在不同的靶电压、偏压、占空比下制备了纯Cr镀层。通过原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射仪(XRD)分析了纯Cr镀层的微观组织形貌和择优生长取向；采用四点探针测试仪测量了纯Cr镀层的方块电阻；利用CH1660B电化学工作站(极化曲线)分析了纯Cr镀层耐腐蚀性能的变化。探讨了电参数的变化对磁控溅射纯Cr镀层组织结构的影响机理。研究结果表明：随着靶电压的增大,纯Cr镀层的厚度和沉积速率显著增大。300V靶电压下纯Cr镀层为嵌入有纳米晶的非晶组织结构,400V和500V靶电压下纯Cr镀层均为柱状晶结构。纯Cr镀层的组织结构随着偏压值的增大由柱状晶向细小、致密等轴晶转变,同时镀层晶体择优生长面由(200)晶面变为(110)晶面,耐腐蚀性能逐渐增强。随着占空比的增大,纯Cr镀层的组织结构由柱状晶向均匀、细小纳米晶转变,纯Cr镀层的厚度和沉积速率相应增大,同时纯Cr镀层沿(110)晶面的择优取向程度减弱。不同电参数下在纯Cr镀层沉积过程中,单位时间内各种轰击粒子对镀层表面的轰击能量的改变是影响纯Cr镀层组织结构发生变化的关键因素；该轰击能量主要由溅射Cr原子和各种轰击离子所携带的能量两部分组成。本文最后对不同电参数下这两种能量进行了量化,同时建立了磁控溅射纯Cr镀层的结构区域模型。