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目的:工作记忆(working memory,WM)是指在日常生活过程中,用于信息暂时存储与加工的记忆系统。影像学的结果显示,工作记忆与大脑额叶有很强的联系,工作记忆涉及多个大脑区域,包括额叶区、前额叶皮质和前扣带回,还有如信息的主动组织、存储和检索等这些较简单的过程,涉及到腹中侧前额叶。在那些有工作记忆损伤的人群中如精神分裂症是一种严重致残的疾病,其特征是阳性和阴性症状以及认知缺陷。一般认为,这种认知缺陷往往与工作记忆不足有关。随着相关研究的深入,工作记忆障碍被认为是精神分裂患者认知缺陷的一个重要特征。但药物治效果并不理想。近年来,传统经颅直流电刺激(transcranial direct current stimulation,t DCS)和高精度经颅直流电刺激(high-definition transcranial direct current stimulation,HD-t DCS)在工作记忆方面的研究上取得了一定的成果,但是有关经颅直流电刺激改善精神分裂症工作记忆的研究相对较少,而且研究结果也具有不一致性。本文旨在探讨高精度经颅直流电刺激对精神分裂症患者工作记忆的影响。方法:入组49例精神分裂症患者,随机分为真刺激组(n=25)与假刺激组(n=24),利用经颅直流电刺激患者左侧背外侧前额叶,我们将阳性电极放置在F3位置,阴极电极放置FP1,F7,C3,FZ?电流设置为1.5m A,刺激时间设置为20min,每天刺激一次,连续刺激14天?为避免被试头部不适,以及可能产生的疼痛感,我们将电流的上升与下降时间都设置为30s;假刺激条件下,参数设置与真刺激一样,但是仅刺激开始与结束时的30 s时间内有电流通过,以确保被试不知道接受的是哪种刺激?两组患者在刺激前均完成神经心理背景测试以及症状评估;刺激结束后两组患者再次完成n-back任务,对比分析观察真?假刺激前后n-back任务成绩的变化,症状以及神经心理学测验的结果变化。结果:刺激前,真刺激组和假刺激组在神经心理学测验,临床症状,人口统计学资料以及工作记忆任务成绩上均无显著差异(P>0.05);对两组患者刺激前后的n-back任务正确率(accuracy,ACC)与反应时(reaction time,RT)进行分析,结果显示:与刺激前相比,刺激后真刺激组在0-back任务上的反应时(523.10±166.53)ms低于假刺激组(612.56±160.96)ms,差异具有统计学意义(F=4.101,P=0.049);在反应正确率水平,1-back任务中真刺激组正确率(0.69±0.23)高于假刺激组(0.52±0.28),差异具有统计学意义(F=10.27,P=0.002),3-back任务正确率上真刺激组正确率(0.50±0.21)高于假刺激组(0.34±0.18),差异具有统计学意义(F=13.637,P=0.001)。在神经心理学测验方面,成绩都有改善,但不存在统计学意义(P>0.05)。结论:本研究使用高精度经颅直流电刺激来对精神分裂症患者进行长时程干预。结果表明经颅直流电刺激可以有效改善精神分裂症患者的工作记忆;同时也能在一定程度上改善基本的认知功能;未来的研究中经颅直流电刺激可以作为一种临床上的干预技术来治疗精神分裂症患者。