硅表面固有的菲涅耳反射，使得硅基半导体光电器件(如太阳能电池、红外探测器)表面30%以上的入射光因反射而损失掉，严重影响着器件的光电转换效率。寻找一种方法降低硅基表面的反射率，进而提高器件的效率成为近年来研究的重点。表面亚波长结构，具有较高的抗反射性能和稳定的结构，是一种简单而高效的降低表面反射的方法。纳米压印作为下一代光刻工艺的候选之一，具有低成本、高效率、高分辨率以及适合大面积生产的特点，在微纳制造上具备较大的优势。本论文基于纳米压印光刻(Nanoimprint Lithography，NIL)技术，对纳米压印模板和硅片表面抗反射纳米周期结构的制备进行了研究。传统纳米压印模板的制备依赖极紫外光刻、电子束光刻、聚焦离子束光刻等，成本高而且耗时。多孔氧化铝作为一种模板，具有较高的周期性和规整性，可以为纳米压印提供模板，本论文结合NIL和阳极氧化铝（Anodic Aluminum Oxide，AAO），在硅基表面成功制备出孔间距在350nm到560nm，孔径在170nm到480nm，孔深200nm的多孔阵列结构。亚波长结构的抗反射性能受到结构的周期、形貌、深度的影响较大，为了深度了解该方面的影响，结合纳米压印和感应耦合等离子体（ICP，Inductively CoupledPlasma）刻蚀技术，在硅片的表面制备出截顶抛物面型、类梯形圆柱型、类子弹头型等三种不同形貌的纳米周期结构。反射率的测试表明，当入射光角度为8°时，有纳米结构的硅片相对于没有结构的硅片来讲，在测试波长400到2500nm范围内的反射率都有很明显的降低。结合等效介质理论和严格耦合波理论对结果进行了分析，验证了所得到的结果。