压电极化相关论文
随着器件工艺尺寸的缩小,应变技术在硅基器件性能提升方面成为了重要手段之一。信息通信技术迅猛发展,推动半导体器件向高功率高频......
开发了一种由溅射AlN层和中温GaN层组成的复合成核层来提高黄光LED的内量子效率.系统地研究了在溅射AlN成核层和复合成核层上生长......
通过自恰求解薛定谔方程和泊松方程,可以得到沿c轴生长的AlxGa1-xN/GaN异质结中的导带底的形状,同时得出电子分布以及所有束缚态。......
AlGaN/GaN HEMT材料具有更大的自发极化强度和更大的压电极化系数,由于自发极化和压电极化效应的影响,AlGaN/GaN HEMT结构材料可产......
二十一世纪以来,环境污染随着世界人口的增多和科技的发展而成为日益严重的全球性难题。许多科研者尝试各种办法解决或缓解环境污......
自激光器诞生以来,设计和构建波长可调谐激光器是其中最为重要的研究任务之一,也是拓展激光器应用范围的有效途径。目前,大部分调......
对纤锌矿AlxGa1-xN/GaN异质结构,假定其GaN基外沿AlxGa1-xN层采用赝晶生长技术,考虑有限厚势垒和导带弯曲的实际异质结势,计入自发......
本文选取常用的Ga-面AlGaN/GaN结构作为研究对象,计算了自发极化与压电极化产生的总的界面电荷与2DEG密度,得出了2DEG面电阻的值.......
通过XRD和Raman谱研究了用金属有机化学气相沉积 (MOCVD)的方法在Si( 111)面上生长的AlN薄膜层上的应力和压电极化 ,Raman谱观察到......
制备了基于调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结的Pt/Al0.22Ga0.78N/GaN肖特基二极管.由于Al0.22Ga0.78N势垒层中的极化场不同,不同Al......
通过用数值计算方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,研究了Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气性质的影响,给出了AlxGa1-xN/G......
在有效质量近似下,运用变分方法,考虑到量子点内电子和空穴的三维束缚以及由压电极化和自发极化所引起的内建电场,对圆柱型耦合GaN......
通过XRD和Raman谱研究了用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在Si(111)面上生长的AIN薄膜层上的应力和压电极化，Raman谱观察到两个......
制备了基于调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结的Pt/Al0 2 2 Ga0 78N/GaN肖特基二极管。由于Al0 2 2Ga0 78N势垒层中的极化......
制备了基于调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结的Pt/Al0.22Ga0.78N/GaN肖特基二极管.由于Al0.22Ga0.78N势垒层中的极化场不同,不同Al......
GaN HEMT器件在高压、高频、大功率应用领域中具有广泛的应用前景,但逆压电效应是其高可靠应用中面临和亟待解决的重要问题。本文......
GaN基半导体作为光电子材料领域极为重要的材料,其异质结构在器件开发领域得到十分广泛的应用,目前,影响其未来发展的有几大关键性......
从Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体压电极化对应变的依赖关系出发,采用有限元方法计算了GaN/AlN量子点结构中的应变分布,研究了其自发极化、压......
期刊
Ⅲ族氮化物材料具有耐高温、抗辐射、击穿电场强、电子迁移率高等物理特性,并且禁带宽度覆盖了近红外到紫外的光谱范围,已经被成功......
本文总结了近年来Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展。从Ⅲ族氮化物材料晶格结构和特有的极化性质出发，重点讨论了AlGa......
从Ⅲ族氮化物中压电极化对应变弛豫度的依赖关系出发 ,通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程 ,分别研究了自发极化、压电极化和AlGaN......
基于Sentaurus Workbench(SWB)TCAD可制造性设计平台进行AlGaN/GaN器件的结构设计和仿真,并对影响二维电子气的重要参数因素进行了......
