Ga₂O₃作为第三代宽禁带半导体,其具有较好的化学稳定性和热稳定性,在日盲紫外探测器、透明导电薄膜等方面表现出良好的发展前景。但世界上对Ga₂O₃薄膜制备工艺的研究仍处于初级阶段,对Ga₂O₃薄膜的掺杂也没有展现出较好的研究成果。因此本文围绕Ga₂O₃薄膜的制备工艺与掺杂展开工作。本文采用原子层沉积（ALD）设备制备Ga₂O₃薄膜,ALD是一种低温生长薄膜的沉积工艺,具有保型性、成膜均匀等特性,其单原子层沉积的特点使得薄膜原子范围内成分可控,有利于掺杂工艺的展开,在微电子所实习期间利用ALD设备制备了一些半导体薄膜,包括氧化铪（Hf O₂）薄膜,氮化铝（Al N）薄膜等等,掌握了ALD沉积半导体薄膜的基本方法。利用ALD设备,分别在硅衬底和蓝宝石衬底制备Ga₂O₃薄膜,对薄膜进行AFM,SEM,XPS,UV-VIS等一系列测试后,得出结论:薄膜样品较为均匀,质量较高,且有较好的光学特性,其中薄膜均方根粗糙度为0.528nm,Ga、O原子比例为0.68,在紫外可见光范围内透射率大于70%,禁带宽度为4.93e V,与报道的4.9e V接近。接下来对Ga₂O₃薄膜进行Al掺杂,同样测试后得出结论:随着薄膜Al含量的增加,薄膜表面均匀性,晶格氧所占比例,以及光学透射率都有所提升,同时实现了Ga₂O₃薄膜禁带宽度在4.93-5.23e V范围内可调,使Ga₂O₃薄膜在半导体器件方面有了更广泛的应用。