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金属硅化物在VLSI/ULSI器件技术中起着非常重要的作用,被广泛应用于源漏极和硅栅极与金属之间的接触。其中自对准硅化物(self-aligned silicide)工艺已经成为近期的超高速CMOS逻辑大规模集成电路的关键制造工艺之一本文介绍了金属硅化物的制造流程并分析了实际生产中,钴硅化物对接触电阻及良率所产生的影响,并提出了改善意见。